[发明专利]非晶硅结构的制造方法

权利要求书

1.一种非晶硅结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供表面具有图形结构的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上形成非晶硅层，所述图形结构使所述非晶硅层具有不平坦表面；

步骤二、在所述非晶硅层的表面形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中至少包括一层采用FCVD工艺生长的FCVD氧化硅子层；利用FCVD工艺使所述第一氧化硅层表面平坦化；

步骤三、进行退火使所述FCVD氧化硅子层致密化；

步骤四、采用等向性刻蚀工艺对所述第一氧化硅层和所述非晶硅层进行刻蚀，所述等向性刻蚀工艺对所述第一氧化硅层和所述非晶硅层刻蚀速率相等，所述等向性刻蚀工艺将所述第一氧化硅层全部去除且刻蚀停止在所述非晶硅层的目标厚度上，由刻蚀后的所述非晶硅层组成非晶硅结构。

2.如权利要求1所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：步骤一中所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求2所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有多个鳍体，所述鳍体由对所述半导体衬底进行刻蚀形成的条形结构；所述鳍体之间的间隔区域中形成有顶部表面低于所述鳍体顶部表面的第二氧化层；

所述图形结构包括所述鳍体和所述鳍体之间的间隔区域组成的不平坦结构。

4.如权利要求3所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：所述第二氧化层采用FCVD工艺生长。

5.如权利要求3所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：所述非晶硅结构用于形成FinFET的栅极结构，在步骤四之后还包括步骤：

光刻定义出所述栅极结构的形成区域；

之后对所述非晶硅结构进行刻蚀形成所述栅极结构。

6.如权利要求5所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：步骤一中，在形成所述非晶硅层之前，还包括形成栅介质层的步骤，所述栅介质层形成在各所述鳍体的侧面和顶部表面。

7.如权利要求5所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：部分所述鳍体被截断，所述鳍体被截断的区域中不形成所述栅极结构。

8.如权利要求7所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：截断后的所述鳍体表面和所述第二氧化层表面相平。

9.如权利要求1所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述第一氧化硅层还包括一层位于所述FCVD氧化硅子层底部的第一氧化硅子层，先形成所述第一氧化硅子层再形成所述FCVD氧化硅子层。

10.如权利要求9所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：形成所述第一氧化硅子层的工艺包括：HDPCVD工艺、HARP工艺或PECVD工艺。

11.如权利要求9所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：步骤三中的退火温度为500℃～1000℃。

12.如权利要求5所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底上的各所述FinFET组成逻辑芯片。

13.如权利要求12所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：所述FinFET的技术节点为16nm以下。

14.如权利要求7所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：步骤一中，在所述鳍体被截断的区域中，所述非晶硅层表面形成凹陷结构。

15.如权利要求5所述的非晶硅结构的制造方法，其特征在于：在所述栅极结构形成之后，还包括以所述栅极结构为自对准条件在所述栅极结构两侧的所述鳍体中形成源区和漏区的步骤。