[发明专利]碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置

权利要求书

1.一种碳化硅外延晶片，其具有：

碳化硅基板；以及

碳化硅外延层，其形成于所述碳化硅基板之上，

所述碳化硅外延层具有三角缺陷，在所述三角缺陷的表面形态上的所述三角缺陷的内侧具有台阶。

2.根据权利要求1所述的碳化硅外延晶片，其中，

所述三角缺陷的顶点和底边排列于所述碳化硅外延层形成时的阶式流方向，

所述台阶的边缘与所述底边平行。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延晶片，其中，

所述碳化硅外延层的表面在沿所述阶式流方向的所述台阶的前部比所述台阶的后部低。

4.一种碳化硅外延晶片的制造方法，其中，

准备碳化硅基板，

在所述碳化硅基板之上以大于或等于5μm且小于或等于15μm的厚度形成第1碳化硅外延层，

以大于或等于5nm且小于或等于100nm的厚度对所述第1碳化硅外延层进行蚀刻，

在所述蚀刻后，在所述第1碳化硅外延层之上形成第2碳化硅外延层。

5.一种电力变换装置，其具有：

主变换电路，其具有形成于权利要求1至3中任一项所述的碳化硅外延晶片的半导体装置，该主变换电路对被输入进来的电力进行变换而输出；

驱动电路，其将对所述半导体装置进行驱动的驱动信号输出至所述半导体装置；以及

控制电路，其将对所述驱动电路进行控制的控制信号输出至所述驱动电路。