[发明专利]一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组有效
申请号: | 202010243143.0 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111900103B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 陈维恕 | 申请(专利权)人: | 山东职业学院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 徐荣荣 |
地址: | 250000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 生产 制备 系统 模组 | ||
1.一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体;电浆模组部分设置在第二操作腔体内部,通过射频电源及机械传动机构实现移动,其结构由上至下依次设置有O型环、石英套筒的磁铁、具偏压格栅一、石英窗、厚圆柱形石英柱状桶环、具偏压格栅二、多孔金属阳极化圆盘且分别与机械传动机构连接;工作过程中,是将等离子辅助化学气相沉积镀氧化硅薄膜于光面硅片表面,需要通过将电浆模组移至第二操作腔体正中央→开始通气等离子镀膜氧化硅;硅片上移至第二操作腔体蚀刻氧化硅然后去除光刻胶,是通过将第二操作腔体电浆模组移至中央才能够进行作业,将氮化钽及铜种子层溅镀于已图案化之氧化硅上;同样也需要将第二操作腔体电浆模组移出→溅镀遮板移至中央上方→将钽靶移入后溅镀氮化钽→将铜靶移入后溅镀铜。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:O型环、石英套筒的磁铁、具偏压格栅一、石英窗、厚圆柱形石英柱状桶环、具偏压格栅二、多孔金属阳极化圆盘都是圆形。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:电浆模组部分底部设置有多层废液捕捉盘。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:O型环具有外环线圈的闸阀,O型环作为此闸阀的密封、开启是利用两腔体间的气压差异。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:O型环、石英套筒的磁铁、厚圆柱形石英柱状桶环分别具有石英套筒的感应耦合电浆线圈。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:石英窗上方具有偏压格栅的内环铁氧体耦合线圈。
7.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的电浆模组部分,其特征在于:厚圆柱形石英柱状桶环、具偏压格栅二分别具有偏压格栅的感应耦合电浆辅助线圈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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