[发明专利]耗尽型晶体管驱动电路及芯片

权利要求书

1.一种耗尽型晶体管驱动电路，包括主耗尽型晶体管和低压MOS管，所述低压MOS管的漏极与所述主耗尽型晶体管的源极相连，所述低压MOS管的源极接地，其特征在于，还包括间接锁定电路、直接驱动电路和辅助驱动电路；

所述间接锁定电路与供电端和所述低压MOS管的栅极相连，用于驱动所述低压MOS管开启，在所述主耗尽型晶体管初次开启后锁定所述低压MOS管处于常开状态；

所述直接驱动电路与所述供电端、所述主耗尽型晶体管的栅极和所述低压MOS管的源极相连，用于直接驱动所述主耗尽型晶体管的开启或关闭；

所述辅助驱动电路与所述供电端、所述直接驱动电路、所述间接锁定电路以及所述低压MOS管的源极相连，用于驱动所述间接锁定电路锁定所述低压MOS管处于常开状态；当所述供电端暂时下电后，驱动所述间接锁定电路锁定所述低压MOS管处于常开状态；当所述供电端长时间输入低电平，驱动所述低压MOS管关闭，控制所述直接驱动电路对所述主耗尽型晶体管进行关闭。

2.如权利要求1所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述直接驱动电路包括直接储能电容和第一直接二极管；所述直接储能电容的一端与所述供电端相连，另一端与所述主耗尽型晶体管的栅极相连；所述第一直接二极管的正极与所述直接储能电容和所述主耗尽型晶体管的栅极相连，负极与所述低压MOS管的源极和所述辅助驱动电路相连。

3.如权利要求2所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述直接驱动电路还包括直接稳压管和第一直接分压电阻；所述直接稳压管和所述第一直接分压电阻串联设置在所述供电端和所述主耗尽型晶体管的栅极之间，且所述直接稳压管和所述第一直接分压电阻与所述直接储能电容并联。

4.如权利要求2所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述直接驱动电路还包括直接分压器件，所述直接分压器件设置在所述第一直接二极管的负极与所述低压MOS管的源极之间。

5.如权利要求4所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述直接分压器件包括第二直接分压电阻或者第二直接二极管。

6.如权利要求1所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述辅助驱动电路包括辅助储能电容、辅助二极管和辅助耗尽型晶体管；

所述辅助储能电容一端与所述供电端相连，另一端与所述辅助二极管的正极相连；

所述辅助二极管的负极与所述辅助耗尽型晶体管的漏极、所述低压MOS管的源极和所述直接驱动电路相连；

所述辅助耗尽型晶体管的栅极与所述供电端相连，漏极与所述间接锁定电路相连，源极与所述低压MOS管的源极和所述辅助二极管的负极相连。

7.如权利要求6所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述辅助驱动电路还包括第一辅助电阻和第二辅助电阻；

所述第一辅助电阻的一端与所述供电端和所述辅助储能电容相连，另一端与所述辅助耗尽型晶体管的栅极相连，用于对辅助储能电容进行分压；

所述第二辅助电阻的一端与所述辅助储能电容相连，另一端与所述辅助二极管的正极相连，用于所述辅助储能电容进行分压。

8.如权利要求1所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述间接锁定电路包括间接驱动管和间接分压电阻；

所述间接驱动管的正极与所述供电端相连，负极通过所述间接分压电阻与所述低压MOS管的栅极相连。

9.如权利要求8所述的耗尽型晶体管驱动电路，其特征在于，所述间接驱动管包括间接稳压管或者间接二极管。

10.一种耗尽型晶体管驱动芯片，包括待控制电路和权利要求1-9任一项所述耗尽型晶体管驱动电路，所述主耗尽型晶体管与所述待控制电路相连。