[发明专利]一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜压电声波滤波器，其特征在于，包括：

第一基板；

置于所述第一基板上的多个声波谐振器单元，每一所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压的且彼此相对的第一电极、第二电极；

位于所述第一基板上的盖帽层，所述盖帽层至少包围两个所述声波谐振器单元，以在所述声波谐振器单元与所述盖帽层之间形成第一空腔；

所述盖帽层包括：具有设定孔径之释放孔的盖帽层本体，以及密封所述释放孔的封盖层，所述盖帽层本体和所述封盖层的材料均为干膜，且所述盖帽层本体和所述封盖层均通过贴膜工艺形成，所述释放孔通过光刻工艺形成；所述释放孔的设定孔径为0.1微米到3微米；所述第一空腔上方的所述释放孔的密度范围为每100平方微米1到100个所述释放孔；

部分所述封盖层嵌入部分所述释放孔内，所述盖帽层本体的厚度范围为5微米到50微米，所述封盖层的厚度范围为5微米到50微米。

2.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述多个声波谐振器单元至少分布于两个所述第一空腔中。

3.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述盖帽层本体和所述封盖层的总厚度为10μm到100μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述盖帽层本体为单层膜层或多层膜层结构。

5.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述声波谐振器单元为体声波谐振器单元，所述第一电极为压电感应片体上的上电极，所述第二电极为压电感应片体下的下电极；

或者，

所述声波谐振器单元为表面声波谐振器单元，所述第一电极、第二电极分别为所述压电感应片体上的第一叉指换能器和第二叉指换能器。

6.根据权利要求5所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器单元的所述上电极、所述压电感应片体、所述下电极在垂直于所述第一基板表面的方向上相互重叠的区域为有效谐振区，所述上电极、下电极仅在有效谐振区相对叠置。

7.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述声波谐振器为固态装配谐振器，所述第一空腔的真空度为1mtorr-10torr。

8.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器，其特征在于，所述压电感应片体的材质包括：氮化铝、氧化锌、石英、铌酸锂、碳酸锂、锆钛酸铅中的至少一种。

9.一种薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上形成多个声波谐振器单元，每一声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压的且彼此相对的第一电极、第二电极；

在至少两个所述声波谐振器单元及其之间的间隔区域上形成牺牲层；

通过贴膜工艺形成盖帽层本体，以覆盖所述牺牲层，所述盖帽层本体的材料为干膜；

采用光刻工艺在所述盖帽层本体上形成设定孔径之释放孔，所述释放孔的设定孔径为0.1微米到3微米；通过所述释放孔去除所述牺牲层形成第一空腔，所述第一空腔上方的所述释放孔的密度范围为每100平方微米1到100个所述释放孔；

通过贴膜工艺在所述盖帽层本体上形成封盖层，使部分所述封盖层嵌入部分所述释放孔内，以密封所述释放孔，所述封盖层的材料为干膜，所述盖帽层本体的厚度范围为5微米到50微米，所述封盖层的厚度范围为5微米到50微米。

10.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，在真空度为1mtorr-10torr的工艺腔中进行形成所述封盖层的工艺。

11.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，

采用贴膜工艺形成所述封盖层时，真空度为0.5torr到0.8torr。