[发明专利]芯片封装结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法，芯片封装结构的制作方法包括以下步骤。提供至少一已切割晶圆。提供已配置有黏着层的承载板。令已切割晶圆通过黏着层而定位于承载板上。形成重配置线路层于已切割晶圆上。已切割晶圆与重配置线路层电性连接。对已切割晶圆与重配置线路层进行单体化程序，以形成多个芯片封装结构。本发明的芯片封装结构的制作方法可具有较高的产出率，且可有效地降低生产成本。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

随着电子技术的进步，半导体元件尺寸逐渐缩小，同时提供更强大的功能并包括更大容量的集成电路。由于半导体元件微型化，晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chipscale package，WLCSP)被广泛应用于制造中。

就晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装型态而言，其是对单片晶圆以通过半导体设备及半导体制程的方式先进行封装后再切割而得到芯片封装结构的技术。然而，因为晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)是使用半导体设备及半导体制程，因此无法有效地降低制作成本。此外，于每一次的制程中，仅针对一片晶圆进行制作，因而无法有效地提高产能。

发明内容

本发明是针对一种芯片封装结构及其制作方法，其可具有较高产出率(highthroughput)且可降低生产成本。

根据本发明的实施例，芯片封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供至少一已切割晶圆。提供已配置有黏着层的承载板。令已切割晶圆通过黏着层而定位于承载板上。形成重配置线路层于已切割晶圆上。已切割晶圆与重配置线路层电性连接。对已切割晶圆与重配置线路层进行单体化程序，以形成多个芯片封装结构。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，芯片封装结构的制作方法，还包括：提供已切割晶圆时，同时提供至少一未切割晶圆。令已切割晶圆通过黏着层而定位于承载板上之前，提供具有至少一第一开口与至少一第二开口的板件于黏着层上。板件通过黏着层而定位于承载板上。将未切割晶圆与已切割晶圆分别配置于第一开口与第二开口内，且通过黏着层而定位于承载板上。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，第一开口的外型轮廓等于或大于未切割晶圆的外型轮廓。第二开口的外型轮廓等于或大于已切割晶圆的外型轮廓。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，未切割晶圆具有彼此相对的第一主动面与第一背面。已切割晶圆具有彼此相对的第二主动面与第二背面。未切割晶圆的第一背面与已切割晶圆的第二背面直接接触黏着层。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，板件具有上表面，而未切割晶圆的第一主动表面与已切割晶圆的第二主动表面切齐于板件的上表面。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，未切割晶圆包括设置在第一主动面上的多个第一接垫。已切割晶圆包括设置在第二主动面上的多个第二接垫。第一接垫以及第二接垫分别与重配置线路层电性连接。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，芯片封装结构的制作方法，还包括：对已切割晶圆与重配置线路层进行单体化程序之前，形成多个焊球于重配置线路层上。焊球通过重配置线路层与已切割晶圆电性连接。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，芯片封装结构的制作方法，还包括：形成焊球于重配置线路层上之后，且对已切割晶圆与重配置线路层进行单体化程序之前，移除承载板以及黏着层。

在根据本发明的实施例的芯片封装结构的制作方法中，已切割晶圆的外型轮廓至少是由直线与连接直线的弧线所构成。