[发明专利]一种欠压自关断输出级电路有效
| 申请号： | 202010247010.0 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111313366B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 师娅 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24;H02H3/05;H02H7/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输出 电路 | ||
1.一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，包括输出级电路和自关断输出级驱动电路，自关断输出级驱动电路的输入端连接欠电压锁定判断电路的输出端和控制电路的输出端，输出级电路包括晶体管QN1和晶体管QN2，晶体管QN1的基极连接自关断输出级驱动电路的一级输出端，晶体管QN2的基极连接自关断输出级驱动电路的二级输出端，晶体管QN1的发射极接地，晶体管QN2的集电极连接电源Vcc，晶体管QN2的发射极和、晶体管QN1的集电极和自关断输出级驱动电路的三级输出端连接输出节点OUTPUT；自关断输出级驱动电路包括晶体管QN3、晶体管QN4、晶体管QN5、晶体管QN6、晶体管QP1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；
晶体管QN5的基极连接电阻R1一端，电阻R1另一端连欠电压锁定判断电路的输出端；晶体管QN5的集电极连接晶体管QN6的基极和电阻R2的一端；晶体管QN6的集电极连接晶体管QP1基极和镜像电流源I2的一端；
晶体管QN3的基极连接PWM控制电路的输出端，晶体管QN3的集电极连接镜像电流源I1的一端和晶体管QN4的基极，晶体管QN3的发射极连接晶体管QP1的集电极、晶体管QN1的基极和电阻R4的一端；晶体管QN4的发射极连接电阻R3的一端和晶体管QN2的基极；
晶体管QN5的发射极、晶体管QN6的发射极、晶体管QN1的发射极和电阻R4的另一端均接地；
晶体管QN4的集电极、晶体管QN2的集电极、镜像电流源I2的另一端和镜像电流源I1的另一端连接电源Vcc；
电阻R2的另一端、电阻R3的另一端、晶体管QN2的发射极、晶体管QP1的发射极和晶体管QN1的集电极均连接输出节点OUTPUT。
2.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QP1为PNP型三极管。
3.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN1为NPN型三极管。
4.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN2为NPN型三极管。
5.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN3为NPN型三极管。
6.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN4为NPN型三极管。
7.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN5为NPN型三极管。
8.根据权利要求1所述的一种欠压自关断输出级电路，其特征在于，晶体管QN6为NPN型三极管。
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