[发明专利]一种欠压自关断输出级电路

说明书

本发明公开了一种欠压自关断输出级电路，采用由晶体管QN1和晶体管QN2组成的输出级电路连接自关断输出级驱动电路，自关断输出级驱动电路的输入端连接欠电压锁定判断电路的输出端和控制电路的输出端，采用自关断输出级驱动电路输出连接输出级电路，当Vcc电源电压下降到欠压锁定阈值电压以下时，利用晶体管QP1的导通为OUTPUT输出节点提供了电流泄放通路，同时将晶体管QN1的基极电位抬高，晶体管QN1导通更增大了OUTPUT输出节点的电流泄放通路，可迅速将OUTPUT电位拉低，从而提高了开关电源系统的可靠性。

技术领域

本发明属于开关电源控制器类芯片的线路设计技术领域，具体涉及一种欠压自关断输出级电路。

背景技术

随着电子系统设计的高速集成化发展，电源管理芯片已经在通信、电子计算机、消费类电子产品等领域中获得了广泛应用，其性能要求也越来越高。为保证电路启动后能进入正常工作状态并稳定工作，也为了保证电路工作时电源电压的波动不会对整个电路和系统造成损害，通常采用欠压锁定的办法，保证当电源电压低于欠压锁定关断阈值电压时，电路停止工作，当电源电压高于欠压锁定开启阈值电压时，电路继续工作，开启和关断的阈值电压之间存在一定的迟滞量，以防止电源电压在恢复过程中抖动而造成系统不稳定。其中最关键的就是：当电源电压下降到欠压锁定关断阈值电压以后，功率开关管能否迅速关断。若当电源电压下降到欠压锁定关断阈值电压以后，控制电路不能将功率开关管迅速关断，欠压掉电过程中输出脉宽不受调制而常高，如图3所示，这样很容易造成后级功率开关管的功率过大而烧毁。

发明内容

本发明的目的在于提供一种欠压自关断输出级电路，以克服现有技术的不足，本发明能够避免开关电源系统中的功率开关管在欠压掉电时的长时间导通。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种欠压自关断输出级电路，包括输出级电路和自关断输出级驱动电路，自关断输出级驱动电路的输入端连接欠电压锁定判断电路的输出端和控制电路的输出端，输出级电路包括晶体管QN1和晶体管QN2，晶体管QN1的基极连接自关断输出级驱动电路的一级输出端，晶体管QN2的基极连接自关断输出级驱动电路的二级输出端，晶体管QN1的发射极接地，晶体管QN2的集电极连接电源Vcc，晶体管QN2的发射极和、晶体管QN1的集电极和自关断输出级驱动电路的三级输出端连接输出节点OUTPUT。

进一步的，自关断输出级驱动电路包括晶体管QN3、晶体管QN4、晶体管QN5、晶体管QN6、晶体管QP1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；

晶体管QN5的基极连接电阻R1一端，电阻R1另一端连欠电压锁定判断电路的输出端；晶体管QN5的集电极连接晶体管QN6的基极和电阻R2的一端；晶体管QN6的集电极连接晶体管QP1基极和镜像电流源I2的一端；

晶体管QN3的基极连接PWM控制电路的输出端，晶体管QN3的集电极连接镜像电流源I1一端和晶体管QN4的基极，晶体管QN3的发射极连接晶体管QP1的集电极、晶体管QN1的基极和电阻R4的一端；晶体管QN4的发射极连接电阻R3的一端和晶体管QN2的基极；

晶体管QN5的发射极、晶体管QN6的发射极、晶体管QN1的发射极和电阻R4的另一端均接地；

晶体管QN4的集电极、晶体管QN2的集电极、镜像电流源I2的另一端和镜像电流源I1的另一端连接电源Vcc；

电阻R2的另一端、电阻R3的另一端、晶体管QN2的发射极、晶体管QP1的发射极和晶体管QN1的集电极均连接输出节点OUTPUT。

进一步的，晶体管QP1为PNP型三极管。

进一步的，晶体管QN1为NPN型三极管。

进一步的，晶体管QN2为NPN型三极管。

进一步的，晶体管QN3为NPN型三极管。