[发明专利]均一性计算方法、装置、控制器及存储介质有效
申请号: | 202010247250.0 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111430577B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 李少方 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 均一 计算方法 装置 控制器 存储 介质 | ||
1.一种均一性计算方法,其特征在于,用于获取目标显示面板相对于标准显示面板的发光均一性,所述标准显示面板和所述目标显示面板的区别为:所述标准显示面板的像素通过蒸镀形成,所述目标显示面板的像素通过喷墨形成,所述方法包括:
获取所述标准显示面板的亮度值;
根据所述标准显示面板的亮度值,对所述目标显示面板进行调整,直至所述目标显示面板的亮度值和所述标准显示面板的亮度值相同;
获取所述标准显示面板中的发光区域的第一参数信息和所述目标显示面板中的发光区域的第二参数信息;
根据所述第一参数信息和所述第二参数信息,获取所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性。
2.根据权利要求1所述的均一性计算方法,其特征在于,所述获取所述标准显示面板的亮度值的步骤之前,包括:
设置所述标准显示面板的亮度值,使得所述标准显示面板的亮度值处于第一预设亮度范围内。
3.根据权利要求1所述的均一性计算方法,其特征在于,所述获取所述标准显示面板的亮度值的步骤,包括:
多次测量所述标准显示面板的亮度,得到多个亮度值,其中所述测量所述标准显示面板的亮度的次数不少于预设次数;
获取所述多个亮度值的平均值,并将所述平均值设置为所述标准显示面板的亮度值。
4.根据权利要求1所述的均一性计算方法,其特征在于,所述第一参数信息包括第一面积值,所述第一面积值为所述标准显示面板中的发光区域的面积,所述第二参数信息包括第二面积值,所述第二面积值为所述目标显示面板中的目标区域的面积,所述根据所述第一参数信息和所述第二参数信息,获取所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性的步骤,包括:
获取所述第二面积值与所述第一面积值的比值作为第一比值,所述目标区域为所述目标显示面板中的所述发光区域中发光亮度处于第二预设亮度范围内的区域;
将所述第一比值设置为均一性参考值,所述均一性参考值用于表征所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性。
5.根据权利要求1所述的均一性计算方法,其特征在于,所述第一参数信息包括第一数目,所述第一数目为所述标准显示面板中的发光像素的数目,所述第二参数信息包括第二数目,所述第二数目为所述目标显示面板中的目标像素的数目,所述根据所述第一参数信息和所述第二参数信息,获取所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性的步骤,包括:
获取所述第二数目与所述第一数目的比值作为第二比值,所述目标像素为所述目标显示面板中的所述发光区域中发光亮度处于第三预设亮度范围内的像素;
将所述第二比值设置为均一性参考值,所述均一性参考值用于表征所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性。
6.一种均一性计算装置,其特征在于,用于实现如权利要求1-5任一所述均一性计算方法,所述均一性计算装置用于获取目标显示面板相对于标准显示面板的发光均一性,所述标准显示面板和所述目标显示面板的区别为:所述标准显示面板的像素通过蒸镀形成,所述目标显示面板的像素通过喷墨形成,所述均一性计算装置包括:
第一获取模块,用于获取所述标准显示面板的亮度值;
第一处理模块,用于根据所述标准显示面板的亮度值,对所述目标显示面板进行调整,直至所述目标显示面板的亮度值和所述标准显示面板的亮度值相同;
第二获取模块,用于获取所述标准显示面板中的发光区域的第一参数信息和所述目标显示面板中的发光区域的第二参数信息;
第二处理模块,用于根据所述第一参数信息和所述第二参数信息,获取所述目标显示面板相对于所述标准显示面板的发光均一性。
7.根据权利要求6所述的均一性计算装置,其特征在于,所述均一性计算装置还包括:
设置模块,用于设置所述标准显示面板的亮度值,使得所述标准显示面板的亮度值处于第一预设亮度范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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