[发明专利]一种大尺寸硅片制绒承载装置在审
申请号: | 202010248142.5 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111430292A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 朱军;谈锦彪;从海泉;苗劲飞;马擎天 | 申请(专利权)人: | 环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺寸 硅片 承载 装置 | ||
1.一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,包括侧杆组件和底杆组件,在所述侧杆组件和所述底杆组件两者中:
其中一者被绕设有第一齿槽,另一者被绕设有第二齿槽;
或两者均被绕设有所述第一齿槽;
或均被绕设有所述第二齿槽;
所述第一齿槽和所述第二齿槽均沿所述侧杆组件和所述底杆组件长度方向设置且均朝硅片轴线设置。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第一齿槽为相互独立间断设置的第一齿台形成的通槽,所述第一齿台侧面为锥形结构且所述锥形母线为弧线,所述第一齿台根部厚度大于其顶部厚度。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第一齿台根部弧度所对应的角度不小于30°。
4.根据权利要求2或3所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第二齿槽为错位且独立设置的第二齿台形成的通槽,所述第二齿台侧面为扇形结构,相邻所述第二齿台扇形弧面背向设置。
5.根据权利要求4所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第二齿台沿所述侧杆组件或所述底杆组件的轴线向两侧设置;所述第二齿台根部厚度大于其顶部厚度。
6.根据权利要求5所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第一齿台间距与所述第二齿台间距相同;所述第一齿台高度和所述第二齿台高度均大于所述第一齿台间距。
7.根据权利要求6所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述第一齿台和所述第二齿台均垂直设置在所述侧杆组件或所述底杆组件轴线方向上。
8.根据权利要求2-3、5-7任一项所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,还包括压杆,所述压杆轴向外壁被绕设有若干所述第一齿槽。
9.根据权利要求8所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,还包括置于所述侧杆组件和所述底杆组件两端的端板组件,在所述端板组件上端面设有凹槽,所述凹槽与所述压杆相适配。
10.根据权利要求9所述的一种大尺寸硅片制绒承载装置,其特征在于,所述端板组件两端均设有若干通孔,且所述端板组件两端设置的所述通孔数量不等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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