[发明专利]喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法在审
申请号: | 202010248840.5 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111816584A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 朴柄善;金益秀;任智芸;罗相虎;吴民在 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 包括 半导体 制造 装置 以及 方法 | ||
1.一种半导体制造装置,包括:
腔室,包括在其中提供基板的操作区;
基板支持件,在所述操作区中并接收所述基板;以及
在所述基板支持件下方的下喷头,所述下喷头包括:
各向同性喷头,具有在所述基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔;和
条纹喷头,具有条纹喷嘴区域和在所述条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域,所述条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔,所述第二喷嘴孔在所述基板的所述底表面上非各向同性地提供第二反应气体。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中所述条纹喷嘴区域每个具有与所述条纹空白区域的形状相似的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中所述条纹喷嘴区域每个比所述条纹空白区域宽。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其中所述条纹空白区域每个具有等于或小于1μm的宽度。
5.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其中所述条纹喷嘴区域每个具有是所述条纹空白区域的宽度的10倍的宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其中
所述条纹喷嘴区域的每个的所述宽度为3.4μm,并且
所述条纹空白区域的每个的所述宽度为0.34μm。
7.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中所述腔室还包括狭缝阀,所述基板通过所述狭缝阀提供,并且所述各向同性喷头在所述狭缝阀与所述条纹喷头之间。
8.根据权利要求1所述的半导体制造装置,还包括在所述基板支持件和所述下喷头上方的上喷头,所述上喷头在所述基板的顶表面上提供载气。
9.根据权利要求1所述的半导体制造装置,还包括基板翘曲检测器,所述基板翘曲检测器在所述腔室的侧壁上并且检测所述基板支持件上的所述基板的翘曲。
10.根据权利要求9所述的半导体制造装置,其中:
所述腔室还包括与所述条纹喷头相邻的观察口,以及
所述基板翘曲检测器包括:
产生激光束的光源;和
光学传感器,与所述光源间隔开并接收所述激光束以确定所述基板的所述翘曲。
11.一种喷头,包括:
喷嘴板,所述喷嘴板包括:
具有喷嘴孔的条纹喷嘴区域,以及
条纹空白区域,在所述条纹喷嘴区域之间并且具有与所述条纹喷嘴区域的形状相似的形状;和
在所述喷嘴板上的盖壳体。
12.根据权利要求11所述的喷头,还包括在所述喷嘴板上的所述盖壳体中的挡板。
13.根据权利要求12所述的喷头,其中所述挡板具有各向同性地布置的内孔。
14.根据权利要求11所述的喷头,其中所述条纹喷嘴区域和所述条纹空白区域从所述喷嘴板的一侧边缘向所述喷嘴板的另一侧边缘线性地延伸。
15.根据权利要求11所述的喷头,其中所述条纹喷嘴区域的每个的宽度是所述条纹空白区域的宽度的10倍。
16.一种半导体制造方法,包括:
在基板的顶表面上形成上部图案;
使用条纹喷头在所述基板的底表面上形成下部条纹图案,所述条纹喷头包括条纹喷嘴区域和在所述条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域;以及
使用各向同性喷头在所述下部条纹图案和所述基板的所述底表面上形成平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造