[发明专利]喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法在审

申请号：	202010248840.5	申请日：	2020-04-01
公开（公告）号：	CN111816584A	公开（公告）日：	2020-10-23
发明（设计）人：	朴柄善;金益秀;任智芸;罗相虎;吴民在	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	屈玉华
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	喷头包括半导体制造装置以及方法
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【说明书】：

本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。

技术领域

实施方式涉及喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。

背景技术

通常，半导体器件通过采用多个单元工艺来制造。单元工艺可以包括膜沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。等离子体可以主要用于执行沉积和蚀刻工艺。等离子体可以在高温条件下处理基板。射频功率通常用于产生等离子体。

发明内容

实施方式涉及一种半导体制造装置，包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区(station)；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。

实施方式还涉及一种喷头，包括：喷嘴板，该喷嘴板包括具有喷嘴孔的条纹喷嘴区域以及在条纹喷嘴区域之间并且具有与条纹喷嘴区域的形状相似的形状的条纹空白区域；以及在喷嘴板上的盖壳体。

实施方式还涉及一种半导体制造方法，包括：在基板的顶表面上形成上部图案；使用条纹喷头在基板的底表面上形成下部条纹图案，该条纹喷头包括条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域；以及使用各向同性喷头在下部条纹图案和基板的底表面上形成平坦层。

实施方式还涉及一种半导体制造装置，包括：腔室；在腔室中并接收基板的基板支持件；在基板支持件下方并且包括第一条纹喷嘴区域的下喷头；以及上喷头，在基板支持件上方并且包括与第一条纹喷嘴区域相同的第二条纹喷嘴区域。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出了根据一示例实施方式的半导体制造装置的透视图。

图2示出了沿图1的线I-I'截取的剖视图。

图3示出了显示图2中所绘的基板的翘曲的透视图。

图4示出了图1中所绘的喷头的示例的俯视图。

图5示出了显示由图4中所绘的条纹喷头形成的下部条纹图案的俯视图。

图6示出了图4中所绘的条纹喷头的分解透视图。

图7示出了图6中所绘的喷嘴板的俯视图。