[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具在审
申请号: | 202010249079.7 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111952200A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 大西一永;增泽贵志;乡原広道 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/46 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 以及 段差治具 | ||
1.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,是鳍片一体式的半导体模块的制造方法,所述制造方法包括:
通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤;以及
在所述散热基座上焊接半导体组装体的步骤。
2.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,
对所述散热基座进行加压固定的步骤包括:
将配置在所述散热基座的长边方向上的多个第一加压固定部固定于第一高度的步骤;以及
将在所述长边方向上配置在所述多个第一加压固定部之间的第二加压固定部固定于比所述第一高度低的第二高度的步骤。
3.根据权利要求2所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,
所述加压固定的步骤包括:
提供所述段差治具的第一治具的步骤;
将所述散热基座载置在所述第一治具上的步骤;以及
使所述第一治具与所述段差治具的第二治具连结,而将所述散热基座固定于所述第一高度和所述第二高度的步骤。
4.根据权利要求2或3所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,
所述加压固定的步骤具有通过点加压对所述散热基座进行加压固定的步骤,
所述散热基座具有:
被所述段差治具固定的所述多个第一加压固定部和所述第二加压固定部;以及
未被所述段差治具固定的自由部。
5.根据权利要求3所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,
所述加压固定的步骤具有通过面加压对所述散热基座进行加压固定的步骤,
所述散热基座具有:
被所述段差治具固定的所述多个第一加压固定部和所述第二加压固定部;以及
被所述第二治具面加压的面加压部。
6.根据权利要求5所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,所述制造方法还具有:
利用所述第二治具将绝缘基板定位并载置到散热基座上的步骤。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,所述制造方法在焊接所述半导体组装体的步骤之前,具有将用于容纳冷却鳍片的冷却壳体安装于所述散热基座的步骤。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,所述散热基座具有与所述段差治具相同的线膨胀系数。
9.一种半导体模块,其特征在于,具有鳍片一体式的散热基座和设置在所述散热基座上的半导体组装体,
所述散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
10.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,所述半导体模块还具备:
用于容纳冷却鳍片的冷却壳体;以及
具有设置在所述冷却壳体的开口部,并通过所述开口部使制冷剂在所述冷却壳体的内部流通的制冷剂流通部,
在规定虚拟平面使其穿过所述散热基座的第一端部和所述散热基座的在长边方向上位于所述第一端部的相反侧的第二端部时,穿过所述开口部的中心轴相对于所述虚拟平面的垂线的偏差为5度以内。
11.一种段差治具,其特征在于,是用于制造半导体模块的段差治具,所述段差治具具有:
用于载置所述半导体模块的散热基座的第一治具;以及
与所述第一治具连结而对所述散热基座进行加压固定的第二治具,
所述第一治具具有:
将配置在所述散热基座的长边方向上的多个第一加压固定部定位于第一高度的第一突起部;以及
将在所述长边方向上被夹在所述多个第一加压固定部之间的第二加压固定部定位于比所述第一高度低的第二高度的第二突起部,
所述第二治具具有:
与所述第一突起部连结,而将所述多个第一加压固定部加压固定于所述第一高度的第一连结部;以及
与所述第二突起部连结,而将所述第二加压固定部加压固定于所述第二高度的第二连结部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造