[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具在审
申请号: | 202010249079.7 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111952200A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 大西一永;增泽贵志;乡原広道 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/46 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 以及 段差治具 | ||
本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法,其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法,包括:通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块,其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体,散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
技术领域
本发明涉及半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具。
背景技术
以往,作为减小半导体模块的散热基座的翘曲的方法,已知有使用曲面状的加压治具来预先将散热基座加压固定成曲面状的方法(例如,参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-153925号公报
专利文献2:日本特开2013-197246号公报
发明内容
技术问题
然而,以往的曲面状的加压治具的加工和管理较为困难。
技术方案
在本发明的第1个方式中,提供一种半导体模块的制造方法,其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法,包括:通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤;和在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。
对散热基座进行加压固定的步骤可以包括:将配置于散热基座的长边方向上的多个第一加压固定部固定于第一高度的步骤;以及将在长边方向上配置在多个第一加压固定部之间的第二加压固定部固定于比第一高度低的第二高度的步骤。
加压固定的步骤可以包括:提供段差治具的第一治具的步骤;将散热基座载置在第一治具上的步骤;以及使第一治具与段差治具的第二治具连结而将散热基座固定于第一高度和第二高度的步骤。
加压固定的步骤可以包括通过点加压对散热基座进行加压固定的步骤。散热基座可以包括被段差治具固定的多个第一加压固定部和第二加压固定部以及未被段差治具固定的自由部。
加压固定的步骤可以包括通过面加压对散热基座进行加压固定的步骤。散热基座可以包括被段差治具固定的多个第一加压固定部和第二加压固定部以及被第二治具面加压的面加压部。
半导体模块的制造方法可以还包括利用第二治具将绝缘基板定位而载置在散热基座上的步骤。
半导体模块的制造方法可以在焊接半导体组装体的步骤之前,具有将用于容纳冷却鳍片的冷却壳体安装于散热基座的步骤。
散热基座可以具有与段差治具相同的线膨胀系数。
在本发明的第2个方式中,提供一种半导体模块,其包括鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体,散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
半导体模块可以还包括用于容纳冷却鳍片的冷却壳体,以及具有设置在冷却壳体的开口部,并通过开口部使制冷剂在冷却壳体的内部流通的制冷剂流通部。在规定穿过散热基座的第一端部和散热基座的在长边方向上与第一端部为相反侧的第二端部的虚拟平面时,穿过开口部的中心轴相对于该虚拟平面的垂线的偏差可以为5度以内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造