[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202010252359.3 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111430375B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 奚苏萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区,其特征在于,所述非显示区包括:
GOA驱动电路,与所述GOA驱动电路连接的起始脉冲信号线以及与所述起始脉冲信号线绝缘设置的外围公共电极线,其中,所述非显示区还包括第一金属层,所述第一金属层用于形成所述起始脉冲信号线以及外围公共电极线;以及,
与所述外围公共电极线连接的第二金属层,其中,所述起始脉冲信号与所述第二金属层在所述阵列基板上的投影为至少部分重合,以使所述第二金属层和所述起始脉冲信号线之间形成电容器,该电容器用于释放所述GOA驱动电路中所累积的电荷;其中,在所述第一金属层上依次设有栅极绝缘层、有源层、钝化层和导电层;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且贯穿所述钝化层的第一过孔与所述第二金属层相连;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且依次贯穿所述钝化层、所述有源层以及所述栅极绝缘层的第二过孔与形成外围公共电极线的所述第一金属层相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述起始脉冲信号线为所述电容器的第一极板,所述第二金属层为所述电容器的第二极板,设于所述第一金属层上的栅极绝缘层为所述电容器的介电绝缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为图形化的金属层,且在俯视视角下呈网格状。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述网格为等距间隔设置。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层的材料为氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述有源层和所述第二金属层之间进一步设有掺杂层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为非晶硅阵列基板或铟镓锌氧化物阵列基板。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至7任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的