[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202010252359.3 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111430375B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 奚苏萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请提供一种阵列基板和显示面板。本申请通过将形成起始脉冲信号线的第一金属层作为第一极板,并且将与外围公共电极线连接的第二金属层作为第二极板,以形成电容器,进而大大地提高电荷释放速度,从而达到静电保护的目的。另外,通过将起始脉冲信号线由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线发生静电释放的概率。
技术领域
本申请属于显示面板领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
Gate Driver On Array,简称GOA,即利用现有薄膜晶体管液晶显示器中的Array制程将栅极(Gate)行扫描驱动信号电路制作在Array基板上,实现对Gate逐行扫描的驱动方式。
在GOA驱动电路中,由于信号线众多,且排布密集,再加上即有DC(直流)又有AC(交流)信号,因此,很容易产生并积累电荷。当电荷累积到一定程度,就会产生很大的电位差,使得累积的电荷具有足够的能量离开原先的位置与极性相反的电荷中和,从而产生很大的电流,甚至会出现炸伤风险,使得显示面板出现异常。
而静电积累和释放是半导体领域中造成器件破坏的主要因素之一。ESD(Electro-Static discharge,静电释放)保护电路的作用是有效阻隔或疏导静电,避免器件被静电破坏。而是否能够较好的阻隔或疏导静电,关键是ESD设计方案的合理性。
有鉴于此,如何通过有效的走线设计使得GOA驱动电路中的起始脉冲信号(startvoltage pulse,简称STV)线的具有防静电能力进而使显示面板具有静电释放的防护能力,这是相关开发人员和研究者的重要研究课题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,通过将形成起始脉冲信号线的第一金属层作为第一极板,并且将与所述外围公共电极线连接的第二金属层作为第二极板,以形成电容器,进而大大地提高电荷释放速度,从而达到静电保护的目的。另外,通过将起始脉冲信号线由原先为绕线式的设计改为网格状的设计,从而增加起始脉冲信号线的电流导电通道,以有效地消除累积于起始脉冲信号线内的累积电荷,起到分散电荷作用,进而减少起始脉冲信号线发生静电释放的概率。
根据本申请的一方面,本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区,所述非显示区包括:GOA驱动电路,与所述GOA驱动电路连接的起始脉冲信号线以及与所述起始脉冲信号线绝缘设置的外围公共电极线,其中,所述非显示区还包括第一金属层,所述第一金属层用于形成所述起始脉冲信号线以及外围公共电极线;以及,与所述外围公共电极线连接的第二金属层,其中,所述起始脉冲信号与所述第二金属层在所述阵列基板上的投影为至少部分重合,以使所述第二金属层和所述起始脉冲信号线之间形成电容器,该电容器用于释放所述GOA驱动电路中所累积的电荷。
在上述技术方案的基础上,可以对本申请的技术内容进行以下改进。
在本申请的一些实施例中,所述起始脉冲信号线为所述电容器的第一极板,所述第二金属层为所述电容器的第二极板,设于所述第一金属层上的栅极绝缘层为所述电容器的介电绝缘层。
在本申请的一些实施例中,在所述第一金属层上依次设有栅极绝缘层、有源层、钝化层和导电层;所述导电层通过设置在所述阵列基板上且贯穿所述钝化层的第一过孔与所述第二金属层相连。
在本申请的一些实施例中,所述导电层通过设置在所述阵列基板上且依次贯穿所述钝化层、所述有源层以及所述栅极绝缘层的第二过孔与形成外围公共电极线的所述第一金属层相连。
在本申请的一些实施例中,所述第一金属层为图形化的金属层,且在俯视视角下呈网格状。
在本申请的一些实施例中,所述网格为等距间隔设置。
在本申请的一些实施例中,所述导电层的材料为氧化铟锡。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010252359.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的