[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其中，包括：

一栓塞元件，包括一钨栓塞，并具有一横方向上的一栓塞尺寸；及

一通孔元件，电性连接在该栓塞元件上，并相对于该栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置，该通孔元件具有该横方向上的一通孔尺寸，该栓塞尺寸大于该通孔尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该通孔元件未穿过该中心线。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包括一缝隙在该钨栓塞内部，其中该中心线穿过该缝隙。

4.一种半导体结构，包括：

一栓塞元件，包括一钨栓塞，并包括相对的一第一侧栓塞表面与一第二侧栓塞表面；及

一通孔元件，电性连接在该栓塞元件上，并包括相对的一第一侧通孔表面与一第二侧通孔表面，其中该第一侧栓塞表面与该第二侧栓塞表面分别在该第一侧通孔表面与该第二侧通孔表面的外侧，该第一侧栓塞表面与该第一侧通孔表面在一横方向上的一第一间距是不同于该第二侧栓塞表面与该第二侧通孔表面在该横方向上的一第二间距。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中该第一侧栓塞表面与该第二侧栓塞表面为该栓塞元件的外侧栓塞表面，该栓塞元件还包括一内栓塞表面，该半导体结构还包括一缝隙在该内栓塞表面内，其中该通孔元件未对准该缝隙。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括一介电膜，在该内栓塞表面上，该缝隙由该介电膜定义出。

7.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其中该通孔元件的一下通孔表面只接触该栓塞元件的一上栓塞表面。

8.根据权利要求1或4所述的半导体结构，包括一存储器装置，该存储器装置包括：

一下电极，包括该栓塞元件与该通孔元件；

一上电极；及

一存储材料层，电性连接在该下电极与该上电极之间，该通孔元件电性连接在该栓塞元件与该存储材料层之间。

9.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一开孔于一介电层中；

形成一钨栓塞于该开孔内；

形成一介电膜于该钨栓塞上；

形成一孔洞于该介电膜中，该孔洞小于该开孔且未对准开孔的一中心线；及

形成一通孔元件于该孔洞内，该通孔元件电性连接在该钨栓塞上。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中该钨栓塞的一内栓塞表面定义出一缝隙，该介电膜在该缝隙露出的该内栓塞表面上与该钨栓塞的一上栓塞表面上，该中心线穿过该缝隙。