[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件具有一横方向上的一栓塞尺寸。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件相对于栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置。通孔元件具有横方向上的一通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

近年来，半导体装置的尺寸已逐渐缩小。在半导体技术中，特征尺寸的缩小、速度、效能、密度与每单位集成电路的成本的改良皆为相当重要的目标。在实际应用上，装置尺寸缩小的同时，仍须保持装置的电性以符合商业需求。例如，损伤的层及元件会对电子性能产生可观的影响，因此如何降低或避免层及元件的损伤是制造商面临的重要问题之一。一般而言，具有良好电子性能的半导体装置需要元件具有完整轮廓(profiles)。

发明内容

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。

根据本发明的一方面，提出一种半导体结构，其包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件具有一横方向上的一栓塞尺寸。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件相对于栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置。通孔元件具有横方向上的一通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体结构，其包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件包括相对的一第一侧栓塞表面与一第二侧栓塞表面。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件包括相对的一第一侧通孔表面与一第二侧通孔表面。第一侧栓塞表面与第二侧栓塞表面分别在第一侧通孔表面与第二侧通孔表面的外侧。第一侧栓塞表面与第一侧通孔表面在一横方向上的一第一间距是不同于第二侧栓塞表面与第二侧通孔表面在横方向上的一第二间距。

根据本发明的又另一方面，提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。形成一开孔于一介电层中。形成一钨栓塞于开孔内。形成一介电膜于钨栓塞上。形成一孔洞于介电膜中。孔洞小于开孔且未对准开孔的一中心线。形成一通孔元件于孔洞内。通孔元件电性连接在钨栓塞上。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例的半导体结构的导电结构的纵剖面图。

图2绘示根据一实施例的半导体结构的存储器装置的纵剖面图。

图3绘示根据另一实施例的半导体结构的存储器装置的纵剖面图。

图4A至图4E绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法。

图5绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法。

图6A至图6F绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法。

图7绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法。

图8绘示比较例的半导体结构的剖面图。

图9绘示比较例的半导体结构的剖面图

【符号说明】

110：导电结构

230：栓塞元件

230U：上栓塞表面

236：势垒层

236M：第一侧栓塞表面

236N：第二侧栓塞表面

240：钨栓塞

240K：内栓塞表面

240M：第一侧栓塞表面