[发明专利]SiP模块的结构检测方法

权利要求书

1.一种SiP模块的结构检测方法，其特征在于，包括：

采用3D-X光机对第一抽样SiP模块进行内部缺陷检测；

采用显微镜对所述第一抽样SiP模块进行内部材料和工艺质量目检；

根据GJB548B-2005标准的方法2011的测试条件D，对所述第一抽样SiP模块进行机械强度评价；

采用高精度步进研磨及化学溶剂腐蚀结合法，对所述第一抽样SiP模块内部的叠层芯片进行逐层减层分离，并采用显微镜逐层进行层缺陷检测；

根据GJB548B-2005标准的方法2019对第二抽样SiP模块逐层进行粘接强度检测；

对第三抽样SiP模块进行机械切割，得到叠层芯片单元并固封后，对固封后的所述叠层芯片进行剖面质量检测；

在所述第一抽样SiP模块、所述第二抽样SiP模块和第三抽样SiP模块均未检测到质量缺陷时，确定各抽样SiP模块所属批次的SiP模块的可靠性合格。

2.根据权利要求1所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，采用3D-X光机对第一抽样SiP模块进行内部缺陷检测的步骤，包括：

采用3D-X光机对所述第一抽样SiP模块进行内部缺陷检测，确定所述第一抽样SiP模块是否存在第一质量缺陷；

所述第一质量缺陷包括GJB548B-2005标准的方法2012规定的缺陷、所述第一抽样SiP模块内部的芯片与芯片之间的翘曲缺陷、芯片与芯片之间粘接材料与垫片的结构缺陷以及层间键合丝的尺寸缺陷中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，所述内部材料和工艺质量目检包括元件粘接的质量检测、键合的质量检测和内部引线的质量；所述元件粘接包括绝缘性粘接和导电粘接，所述键合包括球焊键合和楔形键合。

4.根据权利要求1至3任一项所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，采用高精度步进研磨及化学溶剂腐蚀结合法，对所述第一抽样SiP模块内部的叠层芯片进行逐层减层分离，并采用显微镜逐层进行缺陷检测的步骤，包括：

采用X光透视系统定位所述第一抽样SiP模块的内部结构；所述内部结构包括叠层芯片和键合丝；

对所述第一抽样SiP模块进行机械切割，得到携带基板的所述叠层芯片；

采用显微镜对首层芯片进行内部目检后，按照从所述叠层芯片的首层芯片至最底层芯片的顺序，对所述叠层芯片逐层进行研磨、清洗和目检处理，确定各层芯片是否存在层缺陷；

对所述叠层芯片逐层进行研磨、清洗和目检处理的过程包括：

采用高精度研磨机对所述叠层芯片进行研磨直至暴露下一层芯片；

采用化学溶剂腐蚀法清除所述下一层芯片表面的粘接材料残留；

采用显微镜对所述下一层芯片进行内部目检。

5.根据权利要求4所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，采用显微镜对所述下一层芯片进行内部目检的步骤，包括：

采用显微镜检测所述下一层芯片与封装腔体边缘的对位缺陷、所述下一层芯片的玻璃钝化层和金属化层的结构缺陷以及GJB548B-2005标准的方法2010规定的缺陷。

6.根据权利要求5所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，所述显微镜的放大倍数为60倍至200倍。

7.根据权利要求4所述的SiP模块的结构检测方法，其特征在于，采用显微镜对所述下一层芯片进行内部目检的步骤，还包括：

根据GJB548B-2005标准的方法2018，采用显微镜对所述下一层芯片的金属化层放大1000倍至6000倍进行内部目检，以及对所述下一层芯片的玻璃化层放大5000倍至20000倍进行内部目检。