[发明专利]晶圆清洗方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

将待清洗的晶圆固定于承载台；

将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，所述运行参数包括清洗液喷射区域、氮气流量、晶圆转速；所述预定值用于令清洗晶圆时清洗液远离所述晶圆底部；

通过背面管路向所述晶圆底部喷氮气；

通过旋转底座带动所述晶圆旋转；

通过所述承载台上方的喷射管路向所述待晶圆表面喷射所述清洗液。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述清洗液喷射区域为预定喷射区域，所述预定喷射区域的范围为(-43％R，43％R)至(-13％R，13％R)，R表示所述晶圆的半径。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述氮气流量为预定流量，所述预定流量的取值范围为150L/min-250L/min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述晶圆转速为预定转速，所述预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述清洗液喷区域为预定喷射区域，所述预定喷射区域的范围为(-43％R,43％R)至(-13％R,13％R)，R表示所述晶圆的半径；

调整所述氮气流量为预定流量，所述预定流量的取值范围为150L/min-250L/min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将调整单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述清洗液喷区域为预定喷射区域，所述预定喷射区域的范围为(-43％R,43％R)至(-13％R,13％R)，R表示所述晶圆的半径；

调整所述晶圆转速为预定转速，所述预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述氮气流量为预定流量，所述预定流量的取值范围为150L/min-250L/min；

调整所述晶圆转速为预定转速，所述预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整所述清洗液喷区域为预定喷射区域，所述预定喷射区域的范围为(-43％R,43％R)至(-13％R,13％R)，R表示所述晶圆的半径；

调整所述氮气流量为预定流量，所述预定流量的取值范围为150L/min-250L/min；

调整所述晶圆转速为预定转速，所述预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

9.根据权利要求2、5、6、8任一所述的方法，其特征在于，所述通过所述待承载台上方的喷射管路向所述晶圆表面喷射清洗液，包括：

控制所述待承载台上方的喷射管路按所述预设喷射区域向所述晶圆表面喷射清洗液。

10.根据权利要求3、5、7、8任一所述的方法，其特征在于，所述通过背面管路向所述晶圆底部喷氮气，包括：

控制所述背面管路按所述预定流量向所述晶圆底部喷氮气。

11.根据权利要求4、6、7、8所述的方法，其特征在于，所述通过旋转底座带动所述晶圆旋转，包括：

控制所述旋转底座按所述预定转速带动所述晶圆旋转。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单片式晶圆清洗机台的旋转底座内包括气体缓冲腔，所述背面管路的出气口位于所述气体缓冲腔内；

所述通过背面管路向所述晶圆底部喷氮气，包括：

控制所述背面管路按预定流量向所述气体缓冲腔喷所述氮气，所述氮气从所述气体缓冲腔流向所述晶圆底部。