[发明专利]晶圆清洗方法

说明书

本申请公开了一种晶圆清洗方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将待清洗的晶圆固定于承载台；将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，运行参数包括清洗液喷射区域、氮气流量、晶圆转速；预定值用于令清洗晶圆时清洗液远离晶圆底部；通过背面管路向晶圆底部喷氮气；通过旋转底座带动晶圆旋转；通过承载台上方的喷射管路向待晶圆表面喷射清洗液；解决了利用单片清洗机台清洗晶圆时，清洗液容易进入晶圆不需要清洗的一面造成特殊图形缺陷的问题；达到了避免晶圆不需要清洗的一面出现特殊图形缺陷，提高晶圆的良率的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，为了避免颗粒、有机物、金属污染物等污染物造成晶圆内制造的电路、器件损坏，在每步工序结束之后都需要对晶圆进行清洗。

晶圆清洗方式包括槽式清洗和单片清洗，槽式清洗时可以将多片晶圆浸泡在清洗槽中进行清洗，同时去除晶圆正面和背面的污染物；单片清洗时将晶圆固定在单片清洗机台，对晶圆不需要清洗的一面进行保护，喷头喷洒清洗剂对晶圆需要清洗的一面进行清洗。

然而，由于清洗程序设置或者清洗机台固体硬件的缺陷，晶圆被保护的一面仍可能因清洗液流入而出现特殊图形缺陷。

发明内容

可以解决相关技术中的问题，本申请提供了一种晶圆清洗方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种晶圆清洗方法，该方法包括：

将待清洗的晶圆固定于承载台；

将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，运行参数包括清洗液喷射区域、氮气流量、晶圆转速；预定值用于令清洗晶圆时清洗液远离晶圆底部；

通过背面管路向晶圆底部喷氮气；

通过旋转底座带动晶圆旋转；

通过承载台上方的喷射管路向待晶圆表面喷射清洗液。

可选的，将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整清洗液喷射区域为预定喷射区域，预定喷射区域的范围为(-43％R,43％R)至(-13％R,13％R),R表示晶圆的半径。

可选的，将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整氮气流量为预定流量，预定流量的取值范围为150L/min-250L/min。

可选的，将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整晶圆转速为预定转速，预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

可选的，将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整清洗液喷区域为预定喷射区域，预定喷射区域的范围为(-43％R，43％R)至(-13％R，13％R)，R表示晶圆的半径；

调整氮气流量为预定流量，预定流量的取值范围为150L/min-250L/min。

可选的，将调整单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：

调整清洗液喷区域为预定喷射区域，预定喷射区域的范围为(-43％R,43％R)至(-13％R,13％R)，R表示晶圆的半径；

调整晶圆转速为预定转速，预定转速的取值范围为1400rpm-1700rpm。

可选的，将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，包括：