[发明专利]页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置

说明书

本公开提供了页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置。描述了包括页缓冲器以减少存储单元的阈值电压分布偏斜并改善编程性能的系统和方法。页缓冲器包括：第一电路元件，连接到用于供给第一位线电压的第一端子；第二电路元件，连接到用于供给第二位线电压的第二端子；以及锁存器，配置为控制第一电路元件和第二电路元件。

技术领域

本公开涉及页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置。

背景技术

计算机使用各种存储装置来存储信息。当用于主存储器时，存储装置高速运行以能够以减小的延迟进行立即的存取。在许多情况下，存储装置位于处理单元附近，以进一步提高存取速度。

消费者要求越来越小和越来越高容量的存储装置。与二维设计相比，垂直堆叠的存储单元提高了单元面积效率，从而减小了单元尺寸。因此，垂直堆叠的存储单元越来越多地用于各种存储装置中。

然而，基于与每个单元连接的布线的长度，包括垂直堆叠的存储单元的存储装置内的不同单元的编程速度可能区别很大。不同的编程速度可能干扰存储装置的有效操作。因此，在本领域中需要补偿编程速度差异的存储装置。

发明内容

示例实施方式提供了一种存储装置，其可以调节从页缓冲器提供的位线电压以减小存储单元的阈值电压分布偏斜并改善编程性能。

根据一示例实施方式，一种配置为向连接到多个存储单元的位线供给位线电压的页缓冲器包括：第一电路元件，连接到用于供给第一位线电压的第一端子；第二电路元件，连接到用于供给比第一位线电压低的第二位线电压的第二端子；和锁存器，配置为基于在所述多个存储单元当中是否存在被选择的存储单元来控制第一电路元件和第二电路元件，并且配置为将第一位线电压和第二位线电压中的一个施加到位线。当在所述多个存储单元当中存在被选择的存储单元时，基于连接到位线的沟道的信息，第二位线电压的电平被设置得低于第一位线电压的电平且高于或等于地电压的电平。

根据一示例实施方式，一种存储装置包括：多条位线，包括第一位线和第二位线；存储单元阵列，包括连接到所述多条位线的多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，第一存储单元串连接到第一位线并包括多个第一存储单元，第二存储单元串连接到第二位线并包括多个第二存储单元；以及页缓冲器，配置为在对所述多个第一存储单元中的至少一个的编程操作中向第一位线输出第一位线电压，并在对所述多个第二存储单元中的至少一个的编程操作中向第二位线输出不同于第一位线电压的第二位线电压。第一存储单元串的第一栅绝缘层的厚度小于第二存储单元串的第二栅绝缘层的厚度，第一位线电压高于第二位线电压。

根据一示例实施方式，一种存储装置包括：基板；堆叠在基板的顶表面上的多条字线；多个字线切割区域，将所述多条字线划分为多个区域并在垂直于基板的顶表面的方向上延伸；第一沟道，在平行于基板的顶表面的第一方向上设置在与所述多个字线切割区域当中的第一字线切割区域相距第一距离处；第二沟道，在第一方向上设置在与第一字线切割区域相距小于第一距离的第二距离处；以及控制器，配置为在对与第一沟道对应的第一存储单元的编程操作中向连接到第一沟道的位线供给第一位线电压，并且在对与第二沟道对应的第二存储单元的编程操作中向连接到第二沟道的位线供给高于第一位线电压的第二位线电压。

根据一示例实施方式，一种存储装置包括：设置在基板上的堆叠结构，其中该堆叠结构包括与多个绝缘层交替的多个栅电极层；一个或更多个沟道结构，穿透堆叠结构，其中沟道结构设置在连接到基板的外延层上；以及字线切割区域，将堆叠结构划分成多个区域。所述多个栅电极层包括地选择线、串选择线以及设置在地选择线与串选择线之间的多条字线。字线和与字线相邻的沟道结构提供存储单元。随着距字线切割区域的距离增大，每条字线的厚度减小，并且输入到连接至存储单元的位线的位线电压减小。