[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 202010254742.2 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN111430302A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 苏同上;成军;李伟;王庆贺;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一导电层的图形,所述第一导电层的图形包括多个相互独立的第一图案,以及将各所述第一图案导通的连接线;
在所述第一导电层上形成绝缘层的图形,在所述连接线的待刻蚀部分对应的所述绝缘层具有镂空部;
在所述绝缘层上形成第二导电层的图形,同时对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,以断开各所述第一图案;其中,所述第二导电层的图形包括多个相互独立的第二图案,所述第二图案与所述镂空部互不交叠。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述绝缘层上形成第二导电层的图形,同时对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,以断开各所述第一图案,具体包括:
在所述绝缘层上形成第二导电层;
在所述第二导电层上形成光刻胶层;
采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光形成光刻胶图案;
以所述光刻胶图案作为遮挡,对待制作所述第二图案之外区域的所述第二导电层进行刻蚀,并对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,形成所述第二图案,且断开各所述第一图案;
对所述光刻胶图案进行剥离,以去除所述光刻胶图案。
3.如权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,形成第一导电层的图形,具体包括:形成栅极金属层的图形,所述栅极金属层的图形包括:在显示区域内相互独立的多条栅线、与所述栅线电连接的多个栅极,以及在边框区域内与各所述栅线导通的所述连接线;
形成第二导电层的图形,具体包括:形成源漏极金属层的图形,所述源漏极金属层的图形包括:在所述显示区域内相互独立的多条信号线,以及与所述信号线电连接的多个第一极,所述信号线包括数据线和高电平电源线。
4.如权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,形成第一导电层的图形,具体包括:形成源漏极金属层的图形,所述源漏极金属层的图形包括:在显示区域内相互独立的多条信号线,与所述信号线电连接的多个第一极,以及在边框区域内与各所述信号线导通的所述连接线,所述信号线包括数据线和高电平电源线;
形成第二导电层的图形,具体包括:在所述显示区域内形成多个相互独立的阳极。
5.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在形成栅极金属层的图形之前,还包括:形成有源层的图形和栅绝缘层;
形成栅极金属层的图形之后,还包括:
以所述栅极金属层的图形作为遮挡,对所述栅绝缘层进行刻蚀,形成与所述栅极金属层的图形完全重合的所述栅绝缘层的图形;
以所述栅极金属层的图形和所述栅绝缘层的图形作为遮挡,对未被遮挡的所述有源层的图形进行导体化处理。
6.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,依次位于所述衬底基板上的第一导电层、绝缘层和第二导电层;
所述第一导电层,包括:多个相互独立的第一图案;
所述绝缘层,包括:镂空部,所述镂空部在所述衬底基板上的正投影导通各所述第一图案在所述衬底基板上的正投影;
所述第二导电层,包括:多个相互独立的第二图案,所述第二图案与所述镂空部互不交叠。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层为栅极金属层,所述第一图案包括:在显示区域内相互独立的多条栅线,以及与所述栅线电连接的多个栅极;
所述第二导电层为源漏极金属层,所述第二图案包括:在所述显示区域内相互独立的多条信号线,以及与所述信号线电连接的多个第一极,所述信号线包括数据线和高电平电源线。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板与所述栅极金属层之间的有源层,以及位于所述有源层与所述栅极金属层之间的栅绝缘层;
所述栅绝缘层的图形包括:与所述栅极金属层的图形完全重合的第一部分,以及与所述镂空部完全重合的第二部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造