[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 202010254742.2 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN111430302A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 苏同上;成军;李伟;王庆贺;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开一种阵列基板、其制作方法及显示装置,包括在衬底基板上形成第一导电层的图形,第一导电层包括多个相互独立的第一图案,以及将各第一图案导通的连接线;在第一导电层上形成绝缘层的图形,在连接线的待刻蚀部分对应的绝缘层具有镂空部;在绝缘层上形成第二导电层的图形,同时刻蚀镂空部露出的连接线,以断开各第一图案;第二导电层包括多个相互独立且与镂空部互不交叠的第二图案。通过连接线导通第一导电层(例如栅极金属层)中相互独立的各第一图案,使得后续形成绝缘层(例如层间介质层)的图形时各第一图案上积累的静电会被分散或中和抵消,有效避免了第一导电层上的静电击穿绝缘层而与第二导电层(例如源漏极金属层)发生短路不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板具有自发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低等一系列的优点,而受到人们广泛的关注。
相关技术中,有机电致发光显示面板所含阵列基板上的像素电路一般由晶体管和电容构成。由于顶栅型晶体管的开态电流(Ion)较大、栅极与源漏极之间的寄生电容较小等优点,因此可显著提高产品良率、有效减低功耗。然而,在阵列基板的制作过程中,栅极金属层上方沉积层间介质(ILD)层的时候,受到等离子气相沉积(PECVD)所用离子(Plasma)的作用,栅极金属层中相互独立的图形上会积累静电,导致层间介质层被静电击穿,如此,栅极金属层与后续在层间介质层上方的源漏极金属层之间很容易发生短路不良,影响产品良率。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置,用以解决栅极金属层与源漏极金属层之间短路不良的问题。
因此,本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一导电层的图形,所述第一导电层的图形包括多个相互独立的第一图案,以及将各所述第一图案导通的连接线;
在所述第一导电层上形成绝缘层的图形,在所述连接线的待刻蚀部分对应的所述绝缘层具有镂空部;
在所述绝缘层上形成第二导电层的图形,同时对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,以断开各所述第一图案;其中,所述第二导电层的图形包括多个相互独立的第二图案,所述第二图案与所述镂空部互不交叠。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述绝缘层上形成第二导电层的图形,同时对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,以断开各所述第一图案,具体包括:
在所述绝缘层上形成第二导电层;
在所述第二导电层上形成光刻胶层;
采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光形成光刻胶图案;
以所述光刻胶图案作为遮挡,对待制作所述第二图案之外区域的所述第二导电层进行刻蚀,并对所述镂空部露出的所述连接线进行刻蚀,形成所述第二图案,且断开各所述第一图案;
对所述光刻胶图案进行剥离,以去除所述光刻胶图案。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成第一导电层的图形,具体包括:形成栅极金属层的图形,所述栅极金属层的图形包括:在显示区域内相互独立的多条栅线、与所述栅线电连接的多个栅极,以及在边框区域内与各所述栅线导通的所述连接线;
形成第二导电层的图形,具体包括:形成源漏极金属层的图形,所述源漏极金属层的图形包括:在所述显示区域内相互独立的多条信号线,以及与所述信号线电连接的多个第一极,所述信号线包括数据线和高电平电源线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造