[发明专利]固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备在审
申请号: | 202010255523.6 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN111508984A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 中田征志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;姚鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 图像传感器 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
相位检测光电二极管,所述相位检测光电二极管具有光接收表面;
遮光膜,所述遮光膜覆盖所述相位检测光电二极管的所述光接收表面的一部分;
摄像光电二极管,所述摄像光电二极管与所述相位检测光电二极管相邻,并具有光接收表面;
第一彩色滤光片,所述第一彩色滤光片位于所述摄像光电二极管上方;
吸光膜,所述吸光膜被设置成位于所述相位检测光电二极管上方;以及
片上透镜,所述片上透镜形成于所述第一彩色滤光片上,
其中,所述吸光膜被设置成位于所述遮光膜上方,
其中,所述吸光膜被形成为具有使得越靠近所述片上透镜的位置越具有更宽的空间的形状。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述吸光膜被形成为具有越靠近所述片上透镜所述吸光膜的线宽越窄的渐窄形状。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述摄像光电二极管的所述光接收表面具有比所述相位检测光电二极管的所述光接收表面的光接收区域大的光接收区域。
4.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中:
所述吸光膜包括第一膜和第二膜,
所述第一膜包括与所述第一彩色滤光片的材料相同的材料,且
所述第二膜包括与所述第一膜的材料不同的材料。
5.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述吸光膜包括第一膜和第二膜,所述第二膜位于所述第一膜的上方,并且所述第二膜的线宽小于所述第一膜的线宽。
6.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其还包括:
防反射膜,所述防反射膜处于所述相位检测光电二极管与所述吸光膜之间。
7.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述吸光膜和所述遮光膜之间的距离等于300nm或小于300nm。
8.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中:
所述吸光膜的边缘从所述遮光膜的边缘偏移,且
所述吸光膜的所述边缘和所述遮光膜的所述边缘被设置于所述相位检测光电二极管的所述光接收表面上方。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的固体摄像器件,其中,所述固体摄像器件被构造成执行出射光瞳校正。
10.一种电子设备,其包括固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:
第一相位检测光电二极管,所述第一相位检测光电二极管具有光接收表面;
第一遮光膜,所述第一遮光膜覆盖所述光接收表面的一部分;
摄像光电二极管,所述摄像光电二极管与所述第一相位检测光电二极管相邻,具有光接收表面;
第一彩色滤光片,所述第一彩色滤光片位于所述摄像光电二极管上方;
第一吸光膜,所述第一吸光膜被设置成位于所述第一相位检测光电二极管上方;
片上透镜,所述片上透镜形成于所述第一彩色滤光片上,
其中,所述第一吸光膜被设置成位于所述第一遮光膜上方,
其中,所述第一吸光膜被形成为具有使得越靠近所述片上透镜的位置越具有更宽的空间的形状。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中,所述固体摄像器件包括:
第二相位检测光电二极管,所述第二相位检测光电二极管具有光接收表面;
第二遮光膜,所述第二遮光膜覆盖所述第二相位检测光电二极管的所述光接收表面的一部分;以及
第二吸光膜,所述第二吸光膜被设置成位于所述第二遮光膜上方且位于所述第二相位检测光电二极管上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的