[发明专利]固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备在审
申请号: | 202010255523.6 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN111508984A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 中田征志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;姚鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 图像传感器 制造 方法 电子设备 | ||
本发明提供一种固体摄像器件,其包括:相位检测光电二极管,具有光接收表面;遮光膜,覆盖相位检测光电二极管的光接收表面的一部分;摄像光电二极管,摄像光电二极管与相位检测光电二极管相邻,并具有光接收表面;第一彩色滤光片,第一彩色滤光片位于摄像光电二极管上方;吸光膜,吸光膜被设置成位于相位检测光电二极管上方;以及片上透镜,片上透镜形成于第一彩色滤光片上,其中,吸光膜被设置成位于遮光膜上方,吸光膜被形成为具有使得越靠近片上透镜的位置越具有更宽的空间的形状。根据本申请,在向遮光膜上入射的光可靠地在吸光膜中被吸收的同时,向光电二极管上入射的光没有照射到吸光膜上。
本申请是申请日为2014年07月17日、申请号为201480040757.1(对应的国际申请号为PCT/JP2014/003786)、且发明名称为“固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备,具体涉及能够抑制相位检测像素处的由于遮光膜而导致的不必要反射的固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备。
相关申请案
本申请要求2013年7月25日提交的日本优先权专利申请JP2013-154458的优先权,且在法律准许的程度内将该日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
背景技术
已经开发出了这样的电子设备:其中,相位检测像素被设置在以二维矩阵的方式布置着的多个像素的一部分中(例如,文献PTL 1)。在相位检测像素中,光接收区域的一部分被遮光膜遮挡,且透镜焦点偏差能够根据从相位检测像素输出的信号而被检测出来。
引用列表
专利文献
PTL 1:日本专利申请特开JP 2010-160313A
发明内容
要解决的技术问题
然而,当相位检测像素的遮光膜由具有高反射率的金属构成时,照射在遮光膜上的光发生散射,并且该光会与相邻像素混色且会散射到透镜镜筒中。结果,可能出现眩光(flare)或红球重影(red-ball ghost)。
而且,当散射光向相位检测像素的光电二极管上入射时,本来应当被遮挡住的光经历了光电转换,且因此相位差会被减小。当相位差被减小时,利用相位差检测而实现的AF(自动聚焦)控制精度就降低,且电子设备的聚焦速度可能受到影响。
本发明克服了前述的技术问题,且在相位检测像素中抑制了由于遮光膜而造成的不必要反射。
解决技术问题所采取的技术方案
根据本发明的第一方面,提供一种固体摄像器件,其包括:相位检测光电二极管,所述相位检测光电二极管具有光接收表面;遮光膜,所述遮光膜覆盖所述相位检测光电二极管的所述光接收表面的一部分;摄像光电二极管,所述摄像光电二极管与所述相位检测光电二极管相邻,并具有光接收表面;第一彩色滤光片,所述第一彩色滤光片位于所述摄像光电二极管上方;吸光膜,所述吸光膜被设置成位于所述相位检测光电二极管上方;以及片上透镜,所述片上透镜形成于所述第一彩色滤光片上,其中,所述吸光膜被设置成位于所述遮光膜上方,其中,所述吸光膜被形成为具有使得越靠近所述片上透镜的位置越具有更宽的空间的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的