[发明专利]一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料

权利要求书

1.一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，通过纳米级氟聚合物、纳米级氧化物组成混合体系后进行表面改性制备而成；

其反应原料如下：纳米级氟聚合物、纳米级氧化物、含氟硅烷偶联剂、S溶剂；所述反应原料按质量比为纳米级氟聚合物：纳米级氧化物：含氟硅烷偶联剂：S溶剂＝5～9：2～7：1：30～80；

所述S溶剂包括乙二醇乙醚、二苯甲酮、异丙二醇、水，其按质量比为乙二醇乙醚：二苯甲酮：异丙二醇：水＝5～10：1：15～20：3。

2.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述纳米级氟聚合物的平均粒径为20～50nm，所述纳米级氧化物的平均粒径为1～30nm。

3.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述纳米级氟聚合物为聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯中的一种或多种组合。

4.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述纳米级氧化物为纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米二氧化铝中的一种或多种组合。

5.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述含氟硅烷偶联剂选自全氟长链硅烷偶联剂，且全氟长链硅烷偶联剂碳链长度大于等于9。

6.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述S溶剂按质量比计包括：乙二醇乙醚：二苯甲酮：异丙二醇：水＝5～10：1：15～20：3。

7.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述新型纳米材料用于电子元器件的表面处理。

8.如权利要求1所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述新型纳米材料的制备方法包括以下步骤：

S1：前处理：将纳米级氟聚合物、纳米级氧化物在碱性S溶剂下浸泡5～15min，再通过中和剂中和后清洗烘干备用，所述碱性S溶剂为通过碱性催化剂调节的pH值为9～11的S溶剂；

S2：粒子活化：将前处理后的纳米级氟聚合物、纳米级氧化物放入等离子体处理器中，抽真空至30～450Pa，以2～7L/h的流量通入惰性气体，在功率为200～600W下进行纳米级氟聚合物、纳米级氧化物表面活化1～30min；

S2：混合体系的配置：将步骤S2处理的纳米级氟聚合物加入到由S溶剂中，在25～30℃下超声分散得到纳米级氟聚合物溶液，待用；随后以3～5℃/min速率升温纳米级氟聚合物溶液至65～73℃，并将纳米级氧化物加入纳米级氟聚合物溶液，搅拌混合得到混合体系溶液；

S3：表面改性处理：在混合体系溶液中加入碱性催化剂调节其pH值为7.5～8.5，随后将混合体系溶液平铺磁性基板上，控制其平铺深度为1～1.5cm，并将含氟硅烷偶联剂与S溶剂按照质量比为1：10～15混配后分多次滴入混合体系中，并通过⁶⁰Co源或电子束辐照进行处理，在75～85℃下多次反应后，随后加入中和剂使混合体系溶液pH值为7，过滤得到新型纳米材料；

其中，步骤S2、S3中S溶剂总质量与其它各物质占比为：纳米级氟聚合物：纳米级氧化物：含氟硅烷偶联剂：S溶剂＝5～9：2～7：1：30～80，步骤S1中碱性S溶剂不计入上述质量配比中。

9.如权利要求8所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述碱性催化剂为碳酸钾、氢氧化钾、氢氧化钠；所述中和剂为三乙醇胺、氨基乙酸。

10.如权利要求8所述的一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，其特征在于，所述⁶⁰Co源或电子束辐照的辐照剂量为300～1500kGy。