[发明专利]一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料

说明书

本发明公开了一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，通过纳米级氟聚合物、纳米级氧化物组成混合体系后进行表面改性制备而成；其反应原料如下：纳米级氟聚合物、纳米级氧化物、含氟硅烷偶联剂、S溶剂；所述反应原料按质量比为纳米级氟聚合物：纳米级氧化物：含氟硅烷偶联剂：S溶剂＝5～9：2～7：1：30～80。本发明新型纳米材料通过纳米级氟聚合物、纳米级氧化物构成的混合体系，并进行改性处理得到新型纳米材料，其稳定性好，分布均匀，具有更加稳定的防潮抗污性能。

技术领域

本发明涉及纳米材料技术领域，具体是涉及一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料。

背景技术

由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点；电子元器件是电子元件和小型机器、仪器的重要组成部分，其主要包括：电阻、电容、电感、电位器、电子管等。

根据外界环境等不同，电子元器件在保存和使用中易出现受潮污损的情况，而对电子元器件内部电路等造成氧化导致短路现象出现，造成电子元器件的工作异常或报废，可以说，潮湿对电子元器件的生产和保存的威胁是很大的，然而，在现有的用于电子元器件的防潮材料，往往在使用过程中随着时间推移，出现脱落、防潮性能下降巨大甚至失效的情况，其稳定性较差，难以长久保持防潮抗污的作用，这对电子元器件的防护存在着不小的隐患。

因此，根据上述所存在的问题，开发生产出一种新型的材料以解决电子元器件抗污防潮性能，对于电子元器件的稳定性以及质量起到了至关重要的作用。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料。

本发明的技术方案是：一种应用于电子元器件防潮抗污的新型纳米材料，通过纳米级氟聚合物、纳米级氧化物组成混合体系后进行表面改性制备而成；

其反应原料如下：纳米级氟聚合物、纳米级氧化物、含氟硅烷偶联剂、S溶剂；所述反应原料按质量比为纳米级氟聚合物：纳米级氧化物：含氟硅烷偶联剂：S溶剂＝5～9：2～7：1：30～80；

所述S溶剂包括乙二醇乙醚、二苯甲酮、异丙二醇、水，其按质量比为乙二醇乙醚：二苯甲酮：异丙二醇：水＝5～10：1：15～20：3。

本发明的新型纳米材料通过纳米级氟聚合物、纳米级氧化物构成的混合体系，并进行改性处理得到新型纳米材料，通过上述的配比组合，使所制备的纳米材料具有更高的稳定性，并使其应用于电子元器件的表面涂层时具有更加稳定的防潮抗污性能。

进一步地，所述纳米级氟聚合物的平均粒径为20～50nm，所述纳米级氧化物的平均粒径为1～30nm。采用上述纳米级氟聚合物、纳米级氧化物粒径组成混合体系，有利于增强后续制备方法进行改性处理，提高新型纳米材料的使用性能。

进一步地，所述纳米级氟聚合物为聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯中的一种或多种组合。

进一步地，所述纳米级氧化物为纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米二氧化铝中的一种或多种组合。

进一步地，所述含氟硅烷偶联剂选自全氟长链硅烷偶联剂，且全氟长链硅烷偶联剂碳链长度大于等于9；更优选自十七氟癸基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。

进一步地，所述新型纳米材料用于电子元器件的表面处理。采用上述新型纳米材料进行电子元器件的表面涂覆，使电子元器件具有良好的耐污性，与水接触角大于等于145°，与油接触角大于等于120°，具有良好的疏水、疏油性能，能够赋予电子元器件更优异的防潮抗污功能，增强电子元器件的稳定性。

进一步地，所述新型纳米材料的制备方法包括以下步骤：