[发明专利]一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法在审

专利信息
申请号: 202010256294.X 申请日: 2020-04-02
公开(公告)号: CN111268674A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 赵芬霞;刘宏明 申请(专利权)人: 湖州中芯半导体科技有限公司
主分类号: C01B32/28 分类号: C01B32/28;C30B29/04;C30B31/00;H01L21/02
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 邓凌云
地址: 313000 浙江省湖州市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 提高 cvd 钻石 特定 区域 原子 浓度 方法
【说明书】:

发明涉及材料科学技术领域,且公开了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,包括以下步骤:步骤一:准备工作:预备透射电子显微镜,以及用于对CVD钻石进行固定的装置,将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内,用于预备使用,并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工,检验设备是否出现问题,透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热;步骤二:固定材料的准备工作:对CVD钻石晶片进行加热,并采用氮原子测定专用的高精度机器,对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定,单位需要精确到个位。该提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。

技术领域

本发明涉及材料科学技术领域,具体为一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法。

背景技术

人造钻石是一种由直径10到30纳米的钻石结晶聚合而成的多结晶钻石,早期的人造钻石由于空气中的氮原子进进钻石晶体而呈淡淡的糖稀颜色,经过科学家的改良制作方法,生产的人造钻石在外观上和自然钻石没有任何差异,由于天生环境的不同,人造钻石的的分子结构并不是自然钻石的完全八面体结构而是一种复杂结构,从而会产生磷光现象。随着人造钻石生产技术的成熟,其造价低廉,且可以制作出各种颜色的钻石而在珠宝市场上崭露头角。固然出自实验室或工厂的人工合成钻石已有几十年的历史,但是具备宝石质量的人造钻石是近年才出现的。本来人造钻石主要用于制造切割工具等产业用途上,同样也被使用在珠宝首饰上。

公平交易的法则要求人造钻石商在销售时如实说明其质量实况,并用一般接受的词汇来描述,如“人工合成”、“人造”或“实验室制造”。几乎所有的人造钻石都属于Ib型,而此类型在自然钻石中只占不足百分之二。有一种不很昂贵的设备能验证Ib型的钻石,但要确定一颗钻石是否是人工合成的,则依靠于合资格的宝石实验室的检测

CVD钻石,是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石,CVD钻石加工的时候需要向CVD钻石中注入氮原子,现有注入氮原子不受人为控制,人为控制不便,导致氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制,进而使得CVD钻石的加工不便,为此,我们提出一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本发明提供了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,具备可以准确的在CVD钻石内部注入指定数量氮原子,使得CVD钻石内部原子注入技术更加简便,解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。

(二)技术方案

为实现具备准确的得到关于企业金融能力有效评估的目的,本发明提供如下技术方案:一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法,包括以下步骤:

步骤一:准备工作:预备透射电子显微镜,以及用于对CVD钻石进行固定的装置,将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内,用于预备使用,并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工,检验设备是否出现问题,透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热;

步骤二:固定材料的准备工作:对CVD钻石晶片进行加热,并采用氮原子测定专用的高精度机器,对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定,单位需要精确到个位,测定进行多组测定,依据区域位置的不同对测量的数据测定分组的,测定完毕后,预备笔记本或采用数据记录设备对采集的测定数据进行记录,记录时按照区域的分组进行记录;

步骤三:数据的测量:根据所述步骤二所得数据结果,将目标需求的浓度对比需要注入特定区域现有的浓度,得出需要注入该区域氮原子的数量,单位差别精确到个,根据该区域的位置并根据需要注入原子的数量,计算出注射入对应区域浓度需要提供的能量;

步骤四:对氮原子进行预加工:启动透射电子显微镜,对氮原子进行加速,配合温度加速至达到指定的能量,通过透射电子显微镜向固定的CVD钻石内注入,注入时保证设备正常的运行;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖州中芯半导体科技有限公司,未经湖州中芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010256294.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top