[发明专利]一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法有效
| 申请号： | 202010257065.X | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111422909B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘松;靳媛媛 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/22;C01G41/00;C01G39/06;C01G25/00 |
| 代理公司： | 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236 | 代理人： | 伍志祥 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 硫酸钠 制备 过渡 金属 硫化物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度700-900℃条件下反应5-30min，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物；
所述过渡金属氧化物为WO3、MoO3或ZrO2。
2.根据权利要求1所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述硫酸钠和过渡金属氧化物的摩尔比至少为2：1。
3.根据权利要求2所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述硫酸钠和过渡金属氧化物的摩尔比为2-3：1。
4.根据权利要求1所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述含氢气的气氛为氢气气氛或氢气和氩气的混合气氛。
5.根据权利要求1所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述基底为SiO2/Si基底、蓝宝石基底或云母基底。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
