[发明专利]一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法在审

专利信息
申请号: 202010257481.X 申请日: 2020-04-03
公开(公告)号: CN111416058A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 史横舟;孙佳;王红琴;王允军;许金平;马金锁 申请(专利权)人: 苏州星烁纳米科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 导电 薄膜 显示装置 制作方法
【权利要求书】:

1.一种导电薄膜,其特征在于,包括依次层叠结合的N层薄膜,所述N层薄膜均包括金属纳米线,且从第一层薄膜到第N层薄膜中,所述第一层薄膜的金属纳米线的长度最短,和/或,所述第N层薄膜的金属纳米线的长度最长,其中,N不小于2。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,所述第N层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。

4.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,包括依次层叠结合的两层薄膜,所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm,所述第二层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。

5.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜的透光率为50%~99.9%。

6.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜的方阻小于50Ω/□。

7.根据权利要求1-6任一所述的导电薄膜,其特征在于,所述金属纳米线包括金纳米线、银纳米线、铜纳米线、铁纳米线、钴纳米线、镍纳米线中的至少一种。

8.根据权利要求1-6任一所述的导电薄膜,其特征在于,从所述第一层薄膜到所述第N层薄膜中各层的所述金属纳米线的长径比范围为10~10000;

优选地,所述金属纳米线的直径范围为1~100nm。

9.一种显示装置,其特征在于,包括底电极;

第一功能层,设置于所述底电极上;

电致发光层,设置于所述第一功能层上;

第二功能层,设置于所述电致发光层上;和

顶电极,设置于所述第二功能层上;

其中,所述顶电极包括权利要求1-8任一所述的导电薄膜。

10.一种制备如权利要求9所述的显示装置的方法,其特征在于,包括步骤:将金属纳米线溶液以若干次涂布的方式涂覆在所述第二功能层上形成导电薄膜;

其中,每次涂布包括以下步骤:

提供金属纳米线溶液,所述金属纳米线溶液包括金属纳米线和有机溶剂;

将所述金属纳米线溶液涂布于所述基板上;

干燥所述金属纳米线溶液形成一层金属纳米线膜;

对所述金属纳米线膜进行紫外光照射。

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