[发明专利]一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法

说明书

本发明公开了一种导电薄膜，包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均包括金属纳米线，且从第一层薄膜到第N层薄膜中，所述第一层薄膜的金属纳米线的长度最短，和/或，所述第N层薄膜的金属纳米线的长度最长，其中，N不小于2；由于第一层薄膜的金属纳米线较短，导电薄膜设置在功能层上时，第一薄膜中的较短的金属纳米线与下层功能层的接触较好，利于电子或空穴传输，第N层薄膜的金属纳米线长度较长将减少金属纳米线的搭接点数量，使包含导电薄膜的显示装置有效降低接触电阻，改善发光均一性，适合大规模量产。

技术领域

本申请属于显示领域，特别涉及一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法。

背景技术

随着光电行业的发展，透明导电薄膜得到了越来越广泛的应用。1907年Badeker首次报道半透明导电CdO材料，直到第二次世界大战，透明导电薄膜(Transparentconductive film，TCF)材料才得到足够的重视和应用。现在，TCF材料(例如ITO(Indiumtin oxide))、TFO(fluorine-doped tin oxide))已经广泛地应用在平板显示，节能玻璃和太阳能电池中。从物理角度看，物质的透光性和导电性是一对基本矛盾。一种材料要具备良好的导电性，必须同时有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率，然而较高浓度的载流子会吸收光子从而提高了材料对光的吸收率降低了其透射率。从CdO到ITO，以及AZO(Al-doped ZnO)；从金属薄膜到聚合物薄膜；从单一组分到多元材料；对透明导电薄膜的研究一直围绕这一矛盾展开。金属氧化物，特别是ITO，在可见光区具有较高的光透过率和较低的电阻率，在过去50年来一直是透明导电电极研究和应用的热点。然而金属氧化物本身导电性有限，且质脆易碎，不易变形等缺陷，同时原料资源日益稀缺，价格昂贵，已经无法满足现代光电子器件的发展的需求。

近年来用于制作透明导电薄膜的导电材料主要有：纳米线、金属纳米颗粒、导电高分子聚合物、石墨烯、碳纳米管等。其中采用纳米线导电填料制作的透明导电薄膜具有优异的导电性能和透光率,在经过多次弯折后仍然能够保持较低的表面电阻值。因此纳米线称为最具有潜力替代ITO用于制作透明导电薄膜的导电材料，受到国内外广泛的关注。

纳米线用作电极主要包括两种方式，一是有序的网格电极，即在衬底表面通过丝网印刷、电子束、聚焦离子束刻蚀等技术获得规则宏观或纳米尺度栅线。在传统晶体硅太阳能电池中，银浆栅线电极被大量使用。通过丝网印刷和后续的高温(约800℃)退火得到银浆栅线电极。但这种电极昂贵的制备方法(丝网印刷、离子束和电子束刻蚀等)大幅地提高了电极成本。二是液相法大面积制备随机纳米线薄膜电极。随机纳米线网因其优异的光电性能，耐弯折性以及易于在不同材料的衬底上进行大面积制备等优点得到了研究机构和工业界的广泛关注(Ye,S.,Rathmell,A.R.,Chen,Z.,Stewart,I.E.Wiley,B.J.Metalnanowire networks:the next generation of transparentconductors.Advancedmaterials 26,6670-6687,doi:10.1002/adma.201402710(2014).)。然而，高表面电阻以及低表面附着力限制了纳米线的大面积应用，为了制备性能优异的纳米线电极，高温退火、高强度脉冲激光烧结和表面封装等复杂的后处理工艺被用来解决上述问题，但是这些工艺不仅耗时而且耗能。

因此，如何低成本地制备具有高透明，低表面电阻，良好衬底附着力和机械环境稳定性等优异性能的纳米线电极，成为其在光电领域，例如触摸显示、光伏等行业大规模应用的关键问题。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种导电薄膜，包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均包括金属纳米线，且从第一层薄膜到第N层薄膜中，第一层薄膜的金属纳米线的长度最短，和/或，第N层薄膜的金属纳米线的长度最长，其中，N不小于2。

进一步地，所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm。