[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

公共源极线，所述公共源极线形成在基板上；

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列形成在所述公共源极线上；

位线，所述位线连接到所述存储器单元阵列；

绝缘层，所述绝缘层延伸以与所述位线交叠，所述绝缘层包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域中的所述绝缘层的厚度比所述第二区域中的所述绝缘层的厚度薄；

第一上线，所述第一上线与所述绝缘层的所述第一区域交叠；以及

第二上线，所述第二上线与所述绝缘层的所述第二区域交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线被配置为传输擦除电压，并且所述第二上线被配置为传输接地电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线的宽度比所述第二上线的宽度宽。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线被配置为通过电容耦合向所述位线传输施加至所述第一上线的擦除电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：

栅极层叠结构，所述栅极层叠结构包括与导电图案交替地层叠的层间绝缘层；以及

沟道结构，所述沟道结构贯穿所述栅极层叠结构，所述沟道结构连接到所述公共源极线，

其中，每个所述沟道结构连接到所述位线当中的相应位线。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括与所述栅极层叠结构不交叠的接触区域。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：导电源极接触结构，所述导电源极接触结构从所述公共源极线的所述接触区域向所述第一上线延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述基板包括外围电路和用于向所述外围电路提供内部电压的内部电压发生器，并且

其中，所述外围电路包括源极线驱动器，所述源极线驱动器用于向所述公共源极线提供擦除电压以及使所述公共源极线放电中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线将所述公共源极线连接至所述源极线驱动器，并且

所述第二上线将所述内部电压发生器连接到所述外围电路。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线和所述第二上线中的每一个沿着所述位线的延伸方向以Z字形形式延伸。

11.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

公共源极线，所述公共源极线形成在基板上；

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列形成在所述公共源极线上；

位线，所述位线连接到所述存储器单元阵列；

绝缘层，所述绝缘层延伸以与所述位线交叠；

第一上线，所述第一上线形成在所述绝缘层上；以及

第二上线，所述第二上线形成在所述绝缘层上，所述第二上线比所述第一上线与所述位线间隔开更远。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述绝缘层包括凹陷部和突出部，所述第一上线被插入到所述凹陷部中，并且所述突出部支撑所述第二上线。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线被配置为传输擦除电压，并且所述第二上线被配置为传输接地电压。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上线的宽度比所述第二上线的宽度宽。