[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010260440.6 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113497001A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
绝缘区域，位于衬底中；
第一导体，位于所述绝缘区域上方，用于收集电荷；
第二导体，至少部分位于所述绝缘区域上方，用于感应所述第一导体的电荷；
电介质层，位于所述第一导体与所述第二导体之间，使得第一导体与第二导体电绝缘。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘区域包括浅槽隔离区域。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导体包括接触孔。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述接触孔在所述绝缘区域上的投影图型包括U型、V型、C型。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导体至少部分位于所述接触孔开口内部。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导体还包括至少一金属层，所述金属层与所述接触孔电连接。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导体包括多晶硅。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均与所述第二导体电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS，所述第二晶体管为PMOS。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电介质层的材料包括二氧化硅和氮化硅中的一种或多种。
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