[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010260716.0 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN111446261A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 谢华飞;陈书志 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L27/15;H01L21/84;H01L21/34 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上;
第一钝化层,设置于所述薄膜晶体管层上;
像素电极层,设置于所述第一钝化层上,且通过第一过孔连接至所述薄膜晶体管层上;
接触电极层,设置于所述像素电极层上;
第二钝化层,设置于所述像素电极层上,且延伸至所述第一钝化层上;以及
黑色矩阵层,设置于所述第二钝化层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
反光层,设置于所述黑色矩阵层上,且部分覆盖于所述接触电极层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
反光层,设置于所述第一钝化层与所述像素电极层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
绝缘层,设置于所述反光层与所述像素电极层之间。
5.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
栅极层,设置于所述基板上;
栅极绝缘层,设置于所述栅极层上,且延伸覆盖于所述基板上;
有源层,设置于所述栅极绝缘层上;以及
源漏极层,设置于所述有源层上;
其中,所述第一钝化层设置于所述源漏极层上。
6.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
有源层,设置于所述基板上;
栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极层上;以及
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,且通过连接孔连接至所述有源层上;
其中,所述第一钝化层设置于所述源漏极层上。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板上制备薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层上制备第一钝化层;
在所述第一钝化层上制备像素电极层,且所述像素电极层通过第一过孔连接至所述薄膜晶体管层上;
在所述像素电极层上制备接触电极层;
在所述像素电极层上制备第二钝化层,且所述第二钝化层延伸至所述第一钝化层上;以及
在所述第二钝化层上制备黑色矩阵层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述黑色矩阵层上制备反光层,且所述反光层部分覆盖于所述接触电极层上。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第一钝化层与所述像素电极层之间制备反光层。
10.一种显示装置,包括权利要求1-6中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的