[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010260716.0 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN111446261A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 谢华飞;陈书志 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L27/15;H01L21/84;H01L21/34 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置,一方面,通过在所述显示面板中增加黑色矩阵层,削弱无机半导体自发光器件的光对薄膜晶体管层内部器件的影响,同时可以避免不同像素间产生串色现象。另一方面,通过在所述显示面板中增加反光层,可以将无机半导体自发光器件朝向薄膜晶体管层的光进行反射处理,提高无机半导体自发光器件的光的利用率,进而提高显示面板的发光效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
LCD(英文全称:Liquid Crystal Display,液晶显示器)。液晶显示器是以液晶材料为基本组件,在两块平行板之间填充液晶材料,通过电压来改变液晶材料内部分子的排列状况,以达到遮光和透光的目的来显示深浅不一,错落有致的图象,而且只要在两块平板间再加上三原色的滤光层,就可实现彩色图象的显示。
随着显示技术的发展,高分辨率、轻薄、高色域和高亮度成了市场和技术的需求,在此背景下,柔性、自发光等技术逐渐取代传统的刚性LCD平板显示。现有自发光技术主要分为无机半导体自发光(micro/mini LED)和有机半导体自发光(OLED)技术两类,其中micro/mini LED技术因结构简单,稳定性和发光效率高而成为了研究热点。
其中,micro/mini LED要实现精细化、大型化和低成本化显示,需与LCD及OLED一样在玻璃或塑料等可大尺寸化批量生产的基板上进行TFT驱动显示,基于此,TFT+micro/mini LED将是量产化的重要方向。
由于无机半导体自发光(micro/mini LED)器件产生的光线发射角度很大,具有发散性,因此会有部分光线向下照射显示面板中的像素电极层以及薄膜晶体管层等器件,长时间的照射会对显示面板中的器件产生影响,例如温度升高造成器件老化。另外,由于无机半导体自发光(micro/mini LED)器件产生的光线发射角度很大,会在相邻像素之间形成光串色现象;无机半导体自发光(micro/mini LED)器件产生的光线会背向显示面板的显示方向发射,由此会造成无机半导体自发光器件的光的利用率降低,显示面板的发光效率低下等问题。因此,需要寻求一种新型的显示面板以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,其能够解决现有的显示面板中存在的光串色现象、光线利用率低下以及显示面板发光效率低下等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于所述基板上;第一钝化层,设置于所述薄膜晶体管层上;像素电极层,设置于所述第一钝化层上,且通过第一过孔连接至所述薄膜晶体管层上;接触电极层,设置于所述像素电极层上;第二钝化层,设置于所述像素电极层上,且延伸至所述第一钝化层上;以及黑色矩阵层,设置于所述第二钝化层上。
进一步的,其中所述显示面板还包括:反光层,设置于所述黑色矩阵层上,且部分覆盖于所述接触电极层上。
进一步的,其中所述显示面板还包括:反光层,设置于所述第一钝化层与所述像素电极层之间。
进一步的,其中所述显示面板还包括:绝缘层,设置于所述反光层与所述像素电极层之间。
进一步的,其中所述薄膜晶体管层包括:栅极层,设置于所述基板上;栅极绝缘层,设置于所述栅极层上,且延伸覆盖于所述基板上;有源层,设置于所述栅极绝缘层上;以及源漏极层,设置于所述有源层上;其中,所述第一钝化层设置于所述源漏极层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的