[发明专利]针对静电放电保护的器件

权利要求书

1.一种针对静电放电的保护器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的半导体层，所述半导体层涂覆所述半导体衬底；

所述第二导电类型的掩埋区域，所述掩埋区域在所述半导体衬底与所述半导体层之间的界面处，具有大于所述半导体层的掺杂水平的掺杂水平；

所述第一导电类型的第一阱和第二阱，在与所述半导体衬底相反的表面处的所述半导体层中形成；

所述第二导电类型的第二区域，在与所述半导体衬底相反的所述表面处的所述第一阱中形成；以及

所述第二导电类型的第三区域，在与所述半导体衬底相反的所述表面处的所述第二阱中形成；

所述器件的第一连接端子，被连接到所述第一阱和所述第二区域；

所述器件的第二连接端子，被连接到所述第二阱和所述第三区域；

其中所述第一阱、所述半导体层、所述第二阱和所述第三区域形成第一横向晶闸管；

其中所述第二阱、所述半导体层、所述第一阱和所述第二区域形成第二横向晶闸管；并且

其中所述掩埋区域与所述衬底的PN结形成具有雪崩电压的齐纳二极管，所述雪崩电压设置所述保护器件的触发阈值。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一阱和所述第二阱仅通过所述半导体层的一部分而被彼此横向地分离。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括所述第二导电类型的停止沟道区域，所述停止沟道区域具有大于所述半导体层的掺杂水平的掺杂水平，所述停止沟道区域在与所述半导体衬底相反的所述表面处的所述半导体层中形成，并且被定位成将所述第一阱与所述第二阱横向地分离。

4.根据权利要求3所述的器件，其中从顶部观察，所述停止沟道区域完全围绕所述第一阱和所述第二阱中的每个阱。

5.根据权利要求1所述的器件，包括第一垂直绝缘壁，从顶部观察，所述第一垂直绝缘壁围绕所述第一阱和所述第二阱，所述第一绝缘壁跨所述半导体层的整个厚度、并且跨所述掩埋层的整个厚度延伸。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁，所述第二垂直绝缘壁和所述第三垂直绝缘壁在所述半导体衬底与所述半导体层之间的所述界面的不包括所述掩埋区域的一部分中，所述第二垂直绝缘壁和所述第三垂直绝缘壁分别横向地界定第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管分别由所述半导体衬底与所述半导体层之间的第一结和第二结来限定。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述半导体层的由所述第二垂直绝缘壁横向地界定的一部分经由接触区而被连接到所述第二连接端子，并且其中所述半导体层的由所述第三垂直绝缘壁横向地界定的一部分经由接触区而被连接到所述第一连接端子。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述触发阈值在5伏至20伏之间。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一导电类型和第二导电类型分别是P型和N型。