[发明专利]针对静电放电保护的器件

说明书

本公开的实施例涉及针对静电放电保护的器件。第一导电类型的半导体衬底被涂覆有第二导电类型的半导体层。第二导电类型的掩埋区域形成在半导体衬底与半导体层之间的界面。第一导电类型的第一阱和第二阱提供在半导体层中。第二导电类型的第二区域在第一阱中形成。第二导电类型的第三区域在第二阱中形成。第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管。第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管。掩埋区域和半导体衬底形成齐纳二极管，该齐纳二极管设置横向晶闸管的触发电压。

优先权要求

本申请要求2019年04月05日提交的法国专利申请号1903659的优先权，其内容在法律上允许的最大范围内通过引用以其整体并入于此。

技术领域

本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及针对一种保护电子电路免受静电放电的器件。

背景技术

保护电子电路免受静电放电的器件是本领域已知的，其包括横向晶闸管以使由于静电放电引起的过电压耗散。

然而，基于横向晶闸管的针对静电放电的保护器件的已知结构具有各种缺点。

期望至少部分地克服这些缺点中的一些缺点。

发明内容

为了达到这个目的，实施例提供了一种针对静电放电保护的器件，包括：第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底涂覆有第二导电类型的半导体层；第二导电类型的第一掩埋区域，第一掩埋区域在衬底与半导体层之间的界面处，具有大于半导体层的掺杂水平的掺杂水平；第一导电类型的第一阱和第二阱，在半导体层的与衬底相反的表面的一侧上的半导体层中形成；第二导电类型的第二区域，在第一阱的与衬底相反的表面的一侧上的第一阱中形成；以及第二导电类型的第三区域，在第二阱的与衬底相反的表面的一侧上的第二阱中形成，其中第一阱和第二区域连接到器件的第一连接端子，并且第二阱和第三区域连接到器件的第二连接端子，第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管，并且第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管。

根据一个实施例，第一阱和第二阱仅通过半导体层的一部分而彼此横向地分离。

根据一个实施例，该器件还包括第二导电类型的停止沟道区域，该停止沟道区域具有大于半导体层的掺杂水平的掺杂水平，该停止沟道区域形成在半导体层的与衬底相反的表面的一侧上的半导体层中，并且将第一阱和第二阱横向地分离。

根据一个实施例，从顶部观察，停止沟道区域完全围绕第一阱和第二阱中的每个阱。

根据一个实施例，该器件包括第一垂直绝缘壁，从顶部观察，第一垂直绝缘壁围绕第一阱和第二阱，第一绝缘壁跨半导体层的整个厚度、并且跨掩埋层的整个厚度延伸。

根据一个实施例，该器件还包括第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁，第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁在器件的不包括掩埋区域的一部分中，第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁分别横向地界定第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管由衬底与半导体层之间的结来限定。

根据一个实施例，半导体层的由第二垂直绝缘壁横向地界定的部分经由接触区而被连接到器件的第二连接端子，并且半导体层的由第三垂直绝缘壁横向地界定的部分经由接触区而被连接到器件的第一连接端子。

根据一个实施例，第一掩埋区域与衬底一起形成PN结，该PN结限定齐纳二极管，第一齐纳二极管的雪崩电压确定保护器件的触发阈值。

根据一个实施例，触发阈值在5伏和20伏之间。

根据一个实施例，第一导电类型和第二导电类型分别是P型和N型。

附图说明

将在下面结合附图对特定实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征和优点，其中：