[发明专利]存储设备

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

包括多个单元的单元阵列；

地址寄存器，被配置为接收第一地址并锁存所述第一地址；

地址转变检测器，被配置为：接收第二地址并检测从被锁存的所述第一地址到所述第二地址的改变，并在检测到被锁存的所述第一地址改变为所述第二地址时，输出转变检测信号；以及

控制逻辑电路，被配置为通过写入信号使用所述第一地址开始对所述单元阵列的写入操作，并且响应于所述转变检测信号终止所述写入操作。

2.根据权利要求1所述的存储设备，还包括：

模式寄存器，被配置为生成预充电脉冲，

其中，所述控制逻辑电路还被配置为响应于所述预充电脉冲终止所述写入操作。

3.根据权利要求2所述的存储设备，

其中，所述模式寄存器包括：

信号逻辑，被配置为根据表示写入操作模式的外部信息生成预充电信号；以及

自动脉冲发生器，被配置为将所述预充电信号转换成所述预充电脉冲。

4.根据权利要求3所述的存储设备，

其中，所述外部信息是从测试引脚或一次性可编程模块发送的。

5.根据权利要求2所述的存储设备，

其中，所述模式寄存器还被配置为接收内部信息以生成所述预充电脉冲，并且

其中，所述内部信息表示所述写入操作的切换电流。

6.根据权利要求5所述的存储设备，

其中，所述模式寄存器进一步被配置为将所述切换电流的大小与参考值进行比较，以生成所述预充电脉冲。

7.根据权利要求6所述的存储设备，

其中，所述模式寄存器进一步被配置为当所述切换电流的所述大小小于所述参考值时，生成所述预充电脉冲。

8.根据权利要求7所述的存储设备，

其中，所述单元阵列包括多个存储单元，

其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括：

具有固定磁化方向的被钉扎层，

具有可变磁化方向的自由层；以及

置于所述被钉扎层与所述自由层之间的隧道势垒层，并且

其中，所述写入操作的所述切换电流对应于用于切换所述自由层的磁化方向的电流。

9.根据权利要求1所述的存储设备，

其中，所述地址转变检测器包括：

前寄存器，被配置为锁存所述第二地址，以及

比较器，所述比较器耦接到所述前寄存器和所述地址寄存器，并且所述比较器被配置为将由所述地址寄存器锁存的所述第一地址与由所述前寄存器锁存的所述第二地址进行比较。

10.根据权利要求9所述的存储设备，还包括：

时钟发生器，被配置为接收外部时钟，以生成第一时钟和第二时钟，将所述第一时钟提供给所述地址寄存器，并将所述第二时钟提供给所述前寄存器，

其中，所述第二时钟与所述外部时钟同相，并且

其中，所述第一时钟比所述外部时钟延迟。

11.根据权利要求10所述的存储设备，

其中，所述第一时钟和所述第二时钟与所述外部时钟具有相同的频率。

12.根据权利要求1所述的存储设备，还包括：

命令译码器，被配置为根据写入命令向所述地址转变检测器和所述地址寄存器发送写入信号。