[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源图案，在第一方向上延伸，使得所述有源图案在所述第一方向上彼此间隔开；

器件隔离层，限定所述有源图案；

绝缘结构，在所述有源图案中的在所述第一方向上彼此相邻的成对有源图案之间以及在所述器件隔离层之间；以及

栅极结构，在所述绝缘结构上并且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述栅极结构包括上部分和下部分，所述栅极结构的所述下部分被所述绝缘结构包围。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构的所述下部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述栅极结构的边界在所述第一方向上的宽度，所述边界在所述栅极结构的所述上部分和所述下部分之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构的所述上部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述栅极结构的边界在所述第一方向上的宽度，所述边界在所述栅极结构的所述上部分和所述下部分之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘结构的最下部分的高度低于所述器件隔离层的最下部分的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘结构包括：

第一绝缘图案，从所述栅极结构的所述下部分向下延伸；以及

第二绝缘图案，包围所述第一绝缘图案，所述第二绝缘图案包括与所述第一绝缘图案不同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘结构包括：

第一部分，包围所述栅极结构的所述下部分；以及

第二部分，在所述第一部分之下，所述绝缘结构的所述第一部分的宽度大于所述绝缘结构的所述第二部分的宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述绝缘结构的所述第一部分的所述宽度在所述第一方向上比在所述第二方向上大。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构的边界的高度低于所述绝缘结构的最上部分的高度，所述边界在所述栅极结构的所述上部分和所述下部分之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源图案中的每个包括：

有源鳍，在所述第一方向上布置，使得所述有源鳍的最下部分高于所述绝缘结构的最上部分。

10.一种半导体器件，包括：

有源图案，在第一方向上延伸，使得所述有源图案在所述第一方向上彼此间隔开，所述有源图案各自包括第一杂质区域和第二杂质区域，所述第二杂质区域在所述第一方向上彼此间隔开且其间插置有所述第一杂质区域；

器件隔离层，限定所述有源图案；

绝缘结构，在所述有源图案中的在所述第一方向上彼此相邻的成对有源图案之间以及在所述器件隔离层之间；

栅极结构，在所述绝缘结构上并且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述栅极结构包括上部分和下部分，所述栅极结构的所述下部分在所述绝缘结构中；

位线，连接到所述第一杂质区域并且在第三方向上延伸，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向交叉；以及

接触，各自连接到所述第二杂质区域中的相应一个。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘结构包括：

第一绝缘图案，在所述栅极结构之下；以及

第二绝缘图案，包围所述第一绝缘图案，所述第二绝缘图案包括与所述第一绝缘图案不同的材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二绝缘图案和所述器件隔离层包括相同的材料。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述第一绝缘图案包括硅氮化物，以及

所述第二绝缘图案包括硅氧化物。