[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

说明书

提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。

技术领域

示例实施方式涉及半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。例如，至少一些示例实施方式涉及包括绝缘结构的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

背景技术

由于其小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体器件是电子工业中的重要元件。一般而言，半导体器件被分类为用于存储数据的存储器器件、用于处理数据的逻辑器件和用于执行各种功能的混合器件。

随着电子工业发展，存在对具有更高集成密度和更高性能的半导体器件的不断增加的需求。为了满足这样的需求，减小(例如，光刻工艺中的)工艺余量是有帮助的。工艺余量的减小可能导致制造半导体器件的一些困难。

发明内容

本发明构思的示例实施方式提供了具有改善的电特性的半导体器件。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸，使得有源图案在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，在有源图案中的在第一方向上彼此相邻的成对有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，在绝缘结构上并且在第二方向上延伸，第二方向与第一方向交叉，栅极结构包括上部分和下部分，栅极结构的下部分被绝缘结构包围。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸，使得有源图案在第一方向上彼此间隔开，有源图案各自包括第一杂质区域和第二杂质区域，第二杂质区域在第一方向上彼此间隔开且其间插置有第一杂质区域；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，在有源图案中的在第一方向上彼此相邻的成对有源图案之间以及在器件隔离层之间；栅极结构，在绝缘结构上并且在第二方向上延伸，第二方向与第一方向交叉，栅极结构包括上部分和下部分，栅极结构的下部分在绝缘结构中；位线，连接到第一杂质区域并且在第三方向上延伸，第三方向与第一方向和第二方向交叉；以及接触，各自连接到第二杂质区域中的相应一个。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底中形成器件隔离层；在器件隔离层之间形成第一孔，以形成在第一方向上延伸的有源图案；在第一孔之下形成第一凹陷；增大第一凹陷的尺寸，以形成第二凹陷；在第二凹陷中形成绝缘结构；在绝缘结构中形成第三凹陷；增大第三凹陷的尺寸，以形成第四凹陷；以及形成栅极结构，栅极结构填充第四凹陷并且在第二方向上延伸，第二方向与第一方向交叉。

附图说明

示例实施方式将由以下结合附图的简要描述被更清楚地理解。附图体现了这里描述的非限制性示例实施方式。

图1A是示出根据本发明构思的一示例实施方式的半导体器件的俯视图。

图1B和图1C是分别沿图1A的线A-A'和B-B'截取的剖视图。

图1D是图1C的部分“C”的放大视图。

图2A是示出根据本发明构思的一示例实施方式的制造半导体器件的方法的俯视图。

图2B和图2C是分别沿图2A的线A-A'和B-B'截取的剖视图。

图3A和图3B是分别沿图2A的线A-A'和B-B'截取的剖视图。

图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11A和图11B是示出根据本发明构思的一示例实施方式的制造半导体器件的方法的剖视图。