[发明专利]一种低辐射电加热玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低辐射电加热玻璃，其特征在于，所述低辐射电加热玻璃包括基底，以及在衬底上依次沉积的第一介质膜层、第二介质膜层、阻挡层、导电层、第三介质层、紫外线吸收层和耐磨层；

所述第一介质膜层的厚度为12-18nm；所述第二介质膜层的厚度为18-25nm；所述阻挡层的厚度为25-35nm；所述导电层的厚度为10-15nm；所述第三介质膜层的厚度为25-35nm；所述紫外线吸收层的厚度为30-45nm；所述耐磨层的厚度为40-50nm；

所述第一介质膜层所用原料为纳米碳化硅；所述基底所用原料为普通玻璃或高硼硅玻璃中的任一种；

所述第二介质膜层所用原料为纳米二氧化锰；

所述阻挡层所用原料为ZnO或BZO中的任一种；

所述导电层所用原料包括纳米银和复合导电材料；其中，复合导电材料的制备方法包括以下步骤：

a、冰浴条件下向烧杯中加入适量的浓硫酸，并在磁力搅拌下加入2.0g石墨粉，1.0g硝酸钠和6.0g的高锰酸钾，搅拌均匀后，升温至30-36℃后，向混合物中加入200mL的去离子水；而后继续升温至85-90℃，并向混合物中加入20mL双氧水，过滤并洗涤得到氧化石墨；

b、将上述所得的氧化石墨与三聚氰胺按照质量比3:2混合后，加入到100mL的乙醇溶液中，搅拌5h后，加热煮沸溶液除去乙醇，然后在110-120℃的真空干燥箱中干燥6h；

c、将干燥后的样品置于管式炉中，并在N₂气氛下以5℃/min的速率升温至900-980℃，并在此条件下反应时间30-40min；待反应完毕后，将体系的温度降至室温，并用煮沸的去离子水反复洗涤、过滤样品，再经超声处理18-22h得到复合导电材料；

所述第三介质层所用原料为氧化镧或氧化铋中的任一种；

所述紫外线吸收层所用原料为2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮或2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮中的任一种；

所述耐磨层所用原料为氧化锆；

所述的低辐射电加热玻璃的制备方法包括以下步骤：

S1、将选取的基体置于盛有蒸馏水的超声波清洗机中，并向蒸馏水中加入适量的清洗剂，对基体超声清洗10-15min后，将基体取出并用蒸馏水清洗干净，自然条件下晾干，备用；

S2、将第一介质膜层原料置于真空镀膜机中，并在基体上表面采用现有的真空镀膜工艺进行镀膜处理，镀膜结束后基底上表面形成的厚度为12-18nm的薄膜层即为第一介质膜层；

S3、将第二介质膜层原料置于真空镀膜机中，并采用同S2相同的真空镀膜工艺，最终得到第一介质膜层上表面形成的厚度为18-25nm的薄膜层，即为第二介质膜层；

S4、采用真空镀膜工艺在第二介质膜层的上表面形成一层膜厚25-35nm的透明介质薄膜，形成阻挡层；

S5、通过掩膜法在阻挡层上表面采用真空镀膜工艺形成一层膜厚10-15nm具有多孔网状结构的金属导电层，然后再将复合导电材料通过真空镀膜工艺均匀镀于多孔网状结构的金属导电层的孔隙中，得到导电层；

S6、将第三介质膜层原料置于真空镀膜机中，并采用真空镀膜工艺在导电层的表面形成一层膜厚25-35nm的透明介质薄膜，即为第三介质膜层；

S7、采用真空镀膜工艺将紫外线吸收层原料均匀镀于第三介质膜层的表面，形成一层膜厚30-45nm的透明介质薄膜，即为紫外线吸收层；

S8、采用真空镀膜工艺将耐磨层原料均匀镀于紫外线吸收层的表面，形成一层膜厚40-50nm的透明介质薄膜，即为耐磨层；并最终得到低辐射电加热玻璃成品。