[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010266691.5 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112530869A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 范妙璇;李京桦;陈明德;李荣伟;李培炜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在设置在衬底上方的源极/漏极区域处形成外延源极/漏极结构；
在所述外延源极/漏极结构的表面上或中形成含氮层；
在所述含氮层上方形成金属层；以及
在所述源极/漏极区域上方并且基于所述金属层的元素形成所述外延源极/漏极结构的元素的合金层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将所述外延源极/漏极结构的表面暴露于由含氮气体形成的等离子体来形成所述含氮层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在加热所述衬底的同时将所述外延源极/漏极结构的表面暴露于NH3气体来形成所述含氮层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述衬底加热到475℃或更高的温度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氮层是TiN层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括Ti层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氮层包含至少20％原子的氮。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，含氮量至少20％原子的所述含氮层的厚度在从5nm至10nm的范围内。
9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在设置在衬底上方的源极/漏极区域处形成外延源极/漏极结构；
实施第一注入操作以将第一离子引入到所述外延源极/漏极结构中；
实施第二注入操作以将与所述第一离子不同的第二离子引入到所述外延源极/漏极结构中；
实施第一退火操作；
在所述外延源极/漏极结构的表面上或中形成含氮层；
在所述含氮层上方形成金属层；以及
在所述源极/漏极区域上方并且基于所述金属层的元素形成所述外延源极/漏极结构的元素的合金层。
10.一种半导体器件，包括：
栅极结构，设置在沟道区域上方；
源极/漏极外延层，位于源极/漏极区域处；
含氮层，设置所述在源极/漏极外延层上；
硅化物层，设置在所述含氮层上；以及
导电接触件，设置在所述硅化物层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
