[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审

申请号：	202010266691.5	申请日：	2020-04-07
公开（公告）号：	CN112530869A	公开（公告）日：	2021-03-19
发明（设计）人：	范妙璇;李京桦;陈明德;李荣伟;李培炜	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L27/088
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	制造半导体器件方法
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【说明书】：

半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构、设置在源极/漏极区域处的源极/漏极外延层、设置在源极/漏极外延层上的含氮层、设置在含氮层上的硅化物层以及设置在硅化物层上的导电接触件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

本发明涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及具有外延源极/漏极(S/D)结构的半导体器件。随着半导体工业在追求更高的性能和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经引起了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展和具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构的使用。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在设置在衬底上方的源极/漏极区域处形成外延源极/漏极结构；在所述外延源极/漏极结构的表面上或中形成含氮层；在所述含氮层上方形成金属层；以及在所述源极/漏极区域上方并且基于所述金属层的元素形成所述外延源极/漏极结构的元素的合金层。

本发明的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在设置在衬底上方的源极/漏极区域处形成外延源极/漏极结构；实施第一注入操作以将第一离子引入到所述外延源极/漏极结构中；实施第二注入操作以将与所述第一离子不同的第二离子引入到所述外延源极/漏极结构中；实施第一退火操作；在所述外延源极/漏极结构的表面上或中形成含氮层；在所述含氮层上方形成金属层；以及在所述源极/漏极区域上方并且基于所述金属层的元素形成所述外延源极/漏极结构的元素的合金层。

本发明的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：栅极结构，设置在沟道区域上方；源极/漏极外延层，位于源极/漏极区域处；含氮层，设置所述在源极/漏极外延层上；硅化物层，设置在所述含氮层上；以及导电接触件，设置在所述硅化物层上。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图2示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图3示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图4示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图5A、图5B和图5C示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的视图。

图6示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图7示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图8示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。

图9示出了根据本发明实施例的用于半导体器件的制造操作的各个阶段中的一个的截面图。