[发明专利]一种硅片承载装置及边缘抛光设备在审
申请号: | 202010267836.3 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111326473A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 贺云鹏;赵晟佑 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B24B9/06;B24B41/06;B24B47/12;B24B55/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 承载 装置 边缘 抛光 设备 | ||
1.一种硅片承载装置,其特征在于,包括:
底座,所述底座内部形成有一真空腔,所述底座的上表面形成有一环形凸缘,所述环形凸缘的环口与所述真空腔导通;
多孔吸盘,所述多孔吸盘嵌设于所述环形凸缘的环口内,所述多孔吸盘具有若干贯穿所述多孔吸盘的上表面和下表面的吸附孔,所述多孔吸盘用于吸附硅片;
真空管道,所述真空管道与所述真空腔连通,用于对所述真空腔进行抽真空。
2.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,所述多孔吸盘为碳化硅多孔陶瓷吸盘。
3.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于,所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的直径为260mm~270mm,所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的厚度为0.8cm~1.2cm。
4.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于,所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的开口气孔率为60~70%。
5.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于,所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的气孔的孔径在50μm~100μm之间。
6.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,还包括:
去离子水管路,所述去离子水管路与所述真空腔连通,用于向所述真空腔注入去离子水。
7.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,还包括:
转轴,所述转轴与所述底座的底部固定连接,所述转轴的中轴线与所述多孔吸盘的中轴线共线,所述转轴用于驱动所述底座绕所述转轴的轴线做旋转运动。
8.根据权利要求7所述的硅片承载装置,其特征在于,所述真空管道布设于所述转轴内部。
9.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,还包括:
至少一个清洗喷嘴,所述清洗喷嘴指向所述吸附于所述多孔吸盘上的硅片的下表面,所述清洗喷嘴与清洗液管路连接,用于向所述清洗喷嘴提供清洗液。
10.一种边缘抛光设备,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的硅片承载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造