[发明专利]一种硅片承载装置及边缘抛光设备

说明书

本发明提供一种硅片承载装置及边缘抛光设备，所述装置包括：底座，所述底座内部形成有一真空腔，所述底座的上表面形成有一环形凸缘，所述环形凸缘的环口与所述真空腔导通；多孔吸盘，所述多孔吸盘嵌设于所述环形凸缘的环口内，所述多孔吸盘具有若干贯穿所述多孔吸盘的上表面和下表面的吸附孔，所述多孔吸盘用于吸附硅片；真空管道，所述真空管道与所述真空腔连通，用于对所述真空腔进行抽真空。根据本发明实施例的硅片承载装置，可以解决长时间吸附硅片而导致硅片吸附面产生吸附痕迹的问题，提高了硅片生产良率。

技术领域

本发明涉及抛光技术领域，具体涉及一种硅片承载装置及边缘抛光设备。

背景技术

随着半导体技术不断发展，对硅片的几何参数、边缘及表面的粗糙度提出了更加严格的要求。如果硅片边缘比较粗糙，存在凹凸不平等现象，在各种后续加工工艺中可能会受到外力的作用，当外力超出晶圆的最大负载或是应力过度集中时就会造成晶圆裂痕、晶圆破片等问题，严重影响晶圆工艺的良率，因此，需要通过对硅片进行边缘抛光，来尽可能去除边缘损伤，得到光滑的硅片边缘。

硅片的边缘抛光过程首先是对硅片的刻痕部分进行加工，随后将硅片转运至硅片载体上用抛光垫对硅片边缘进行加工，在对边缘抛光的过程中可能由于应力集中现象导致硅片在设备内破损。在清理破损硅片的过程中，正在同时加工的其他硅片由于设备无法进行正常运转而停留在硅片载具上。现有的边缘抛光载具大多是由网格状的无纺布贴附于带有沟槽的聚四氟乙烯底座构成，由于硅片被长时间吸附于载具上，导致在被吸附表面产生了难以消除的、与载具表面形状相似的网格状痕迹，对硅片造成了损伤，最终导致了硅片报废，造成不必要的浪费。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种硅片承载装置及边缘抛光设备，用于解决现有技术中的硅片载具长时间吸附硅片时会在硅片表面形成吸附痕迹，从而对硅片造成损伤最终导致硅片报废的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明一方面实施例提供了一种硅片承载装置，包括：

底座，所述底座内部形成有一真空腔，所述底座的上表面形成有一环形凸缘，所述环形凸缘的环口与所述真空腔导通；

多孔吸盘，所述多孔吸盘嵌设于所述环形凸缘的环口内，所述多孔吸盘具有若干贯穿所述多孔吸盘的上表面和下表面的吸附孔，所述多孔吸盘用于吸附硅片；

真空管道，所述真空管道与所述真空腔连通，用于对所述真空腔进行抽真空。

可选的，所述多孔吸盘为碳化硅多孔陶瓷吸盘。

可选的，所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的直径为260mm～270mm，所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的厚度为0.8cm～1.2cm。

可选的，所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的开口气孔率为60～70％。

可选的，所述碳化硅多孔陶瓷吸盘的气孔的孔径在50μm～100μm之间。

可选的，还包括：

去离子水管路，所述去离子水管路与所述真空腔连通，用于向所述真空腔注入去离子水。

可选的，还包括：

转轴，所述转轴与所述底座的底部固定连接，所述转轴的中轴线与所述多孔吸盘的中轴线共线，所述转轴用于驱动所述底座绕所述转轴的轴线做旋转运动。

可选的，所述真空管道布设于所述转轴内部。

可选的，还包括：

至少一个清洗喷嘴，所述清洗喷嘴指向所述吸附于所述多孔吸盘上的硅片的下表面，所述清洗喷嘴与清洗液管路连接，用于向所述清洗喷嘴提供清洗液。

本发明另一方面实施例还提供了一种边缘抛光设备，包括如上任一项所述的硅片承载装置。