[发明专利]对PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法

权利要求书

1.一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，包括以下步骤：

由所述PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及

选择最接近所接收的输入读取地址的距离的估计最佳参考电流，其中，所述最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并且最小化由于潜行路径和寄生元件使所述读取电流失真的效应而导致的误码率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，最接近所接收的输入读取地址的距离的所述估计最佳参考电流是从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的估计最佳电流的表中选择的。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括通过针对距感测放大器的多个字线距离y₁根据以下等式计算电流I(y₁)，来生成距感测放大器的字线距离相对于估计最佳电流的所述表：

其中，R_BL是位线的每单位空间的电阻，R_L是所述PRAM存储器阵列中的低电阻单元状态的电阻，1/α是字线中低电阻状态单元的恒定分数，β是位线中低电阻状态单元的恒定分数，并且I_RR是经过所述PRAM的感测的低电阻单元的电流。

4.如权利要求3所述的方法，还包括对所述电流I(y₁)和所述距离y₁进行对数回归，以将I(y₁)确定为形式为I(y)＝A–B ln(y)的ln(y₁)的线性函数，其中，A和B是从所述对数回归中导出的。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述等式

是使用机器学习从实验数据中导出的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，最接近所接收的输入读取地址的距离的所述估计最佳参考电流是通过动态地改变机器学习技术而选择的。

7.一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，包括以下步骤：

由所述PRAM存储器阵列接收每个位线i的低电阻状态PRAM的数量Z_i；

当Z_i＝0时将MN+1的似然值分配给索引i处的位，或者当Z_i≠0时将MN/Z_iα的似然值分配给索引i处的位，其中，1/α是字线中低电阻状态单元的恒定分数；以及

基于索引i处的位的似然值对所述位进行解码，其中，获得去噪后的正确位值。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，将似然值分配给索引i处的位的步骤是针对页面中的所有位而执行的。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，基于索引i处的位的似然值对所述位进行解码是使用纠错码来执行的。

10.一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，包括以下步骤：

通过针对距感测放大器的多个字线距离y₁根据以下等式计算电流I(y₁),生成距感测放大器的字线距离相对于估计最佳参考电流的表：

其中，R_BL是位线的每单位空间的电阻，R_L是所述PRAM存储器阵列中的低电阻单元状态的电阻，1/α是字线中低电阻状态单元的恒定分数，β是位线中低电阻状态单元的恒定分数，并且I_RR是经过所述PRAM的感测的低电阻单元的电流，其中，所述最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”。