[发明专利]研磨载具清洗装置及研磨载具清洗方法有效

专利信息
申请号: 202010268464.6 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN111451938B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 贺云鹏;赵晟佑 申请(专利权)人: 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: B24B55/06 分类号: B24B55/06;B08B1/02;B08B3/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;张博
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 研磨 清洗 装置 方法
【说明书】:

发明提供一种研磨载具清洗装置及研磨清洗方法,该研磨载具清洗装置包括:刷头,包括轮盘部分,轮盘部分的端面在周边区域分布有刷毛,在中心区域至少设有第一喷嘴和第二喷嘴,刷头上至少还设有第一流道和第二流道,第一喷嘴连通第一流道,第二喷嘴连通第二流道,第一喷嘴用于喷射第一压力的流体,第二喷嘴用于喷射第二压力的流体,第一压力小于或等于第二压力;移动机构,与刷头连接,用于在第一方向和第二方向上移动刷头,第一方向为垂直于刷头的端面的方向,第二方向为与刷头的端面平行的方向。本发明的硅片载具清洗装置及硅片载具清洗方法,能够有效、快速的去除研磨副产物,保证硅片载具表面平整度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种研磨载具清洗装置及研磨载具清洗方法。

背景技术

单晶硅作为一种重要的半导体材料,具有良好的电学性能和热稳定性,自被人们发现和利用后很快替代其它半导体材料。硅材料因其具有耐高温,抗辐射性能较好,特别适用于制作大功率器件的特性,而成为应用最多的一种半导体材料,集成电路半导体器件大多数硅材料制成的。在制造性能良好的硅单晶方法中,直拉法生长硅单晶具有设备和工艺相对简单、容易实现自动控制。直拉单晶硅棒从单晶炉中拉制出来以后需要进行一系列的工序,前期包括截断、开方、圆角研磨和平面研磨等机械加工。

在双面研磨工艺过程中,硅片载具表面有较多硅粉、磨轮渣滓等副产物堆积,这些副产物一部分是因为在每次加工结束之后的清洗工序未能及时有效的将硅片载具上的副产物去除所导致。为了消除硅片载具表面的副产物堆积,在每次加工之后,一般方法就是在硅片载具上放置清洁刷(Brush),每次加工结束后,向硅片载具上喷水,然后用清洁刷来进行去除异物或者是碎屑的工作。但是,一般情况下难以有效的将硅片载具中心部分的堆积物去除,导致硅片载具的中心部分会堆积较多副产物,从而影响硅片的平坦度,以及缩短硅片载具体的使用寿命。另外,在每次加工结束后,硅片表面也会附着较多的研磨副产物,若不对其进行及时的清除,后续的工作台吸附硅片,会导致颗粒被深压入硅片背表面,在随后目视检测时出现凹坑(pit)缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片载具清洗装置及硅片载具清洗方法,能够有效、快速的去除研磨副产物,保证硅片载具表面平整度。

本发明所提供的技术方案如下:

一种研磨载具清洗装置,用于清洗研磨载具,所述研磨载具的承载面用于承载研磨件;其特征在于,所述研磨载具清洗装置包括:

刷头,所述刷头包括轮盘部分,所述轮盘部分的端面具有中心区域和围绕所述中心区域的周边区域,在所述周边区域分布有刷毛,在所述中心区域至少设有第一喷嘴和第二喷嘴,所述刷头上至少还设有第一流道和第二流道,所述第一喷嘴连通所述第一流道,所述第二喷嘴连通所述第二流道,且所述第一喷嘴用于喷射第一压力的流体,以冲洗研磨载具的承载面上的研磨件,所述第二喷嘴用于喷射第二压力的流体,以冲洗所述研磨载具的承载面,所述第一压力小于或等于所述第二压力;

及,移动机构,与所述刷头连接,用于在第一方向和第二方向上移动所述刷头,所述第一方向为垂直于所述刷头的端面的方向,所述第二方向为与所述刷头的端面平行的方向。

示例性的,所述刷毛包括长刷毛和短刷毛,所述长刷毛的长度大于所述短刷毛的长度,且所述轮盘部分的端面的周边区域分为第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域为扇形或圆弧形,所述长刷毛分布于所述第一区域,所述短刷毛分布于所述第二区域。

示例性的,所述第二喷嘴的喷射方向与所述刷头的端面呈斜夹角,并朝向所述短刷毛所在一侧。

示例性的,所述刷头还包括刷柄部分,所述刷柄部分设置在所述轮盘的与所述端面相背设置的背面一侧,且所述第一流道和所述第二流道均设置在所述刷柄部分上。

示例性的,所述长刷毛的长度为15~20mm,所述长刷毛与所述短刷毛在垂直于所述轮盘部分的端面上的高度差为5~10mm。

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