[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

多个第一半导体晶粒，内嵌在一第一晶圆群的一第一感光层中，其中多个第一通孔形成在该第一感光层中；

一第一粘着层，配置在该第一晶圆群的至少其中的两个之间，以形成一第一结构；

多个第二半导体晶粒，内嵌在一第二晶圆群的一第二感光层，其中多个第二通孔形成在该第二感光层中；

一第二粘着层，配置在该第二晶圆群的其中至少两个之间，以形成一第二结构；

多个第一金属凸块，配置在该第一结构与该第二结构之间，其中该第一结构以所述第一金属凸块连接该第二结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述第二通孔的至少其中一个是与相对应的一个第一通孔对准。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述第一通孔形成在所述第一半导体晶粒的一周围区内，且所述第二通孔形成在该第二半导体晶粒的一周围区内。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

多个第三半导体晶粒，内嵌在一第三晶圆群的一第三感光层中，其中多个第三通孔形成在该第三感光层中；

一第三粘着层，配置在该第三晶圆群的其中至少两个之间，以形成一第三结构；

多个第四半导体晶粒，内嵌在一第四晶圆群的一第四感光层中，其中多个第四通孔形成在该第四感光层中；

一第四粘着层，配置在该第四晶圆群的其中至少两个之间，以形成一第四结构；

多个第二金属凸块，配置在该第三结构与该第四结构之间，其中该第三结构以所述第二金属凸块连接该第四结构；以及

多个第三金属凸块，配置在该第一及第二结构与第三及第四结构之间，其中第一及第二结构以所述第三金属凸块连接该第三及第四结构。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一晶圆群包括四个晶圆，且该第二晶圆群包括四个晶圆。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一结构具有一第一良率，该第二结构具有一第二良率，且该第一良率大致地等于该第二良率。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一结构具有一第一良率，该第二结构具有一第二良率，且该第一良率在该第二良率的10％内。

8.一种半导体元件，包括：

一第一结构，包括：

一第一晶圆群，包括多个第一半导体晶粒，内嵌在一第一感光层中，其中多个第一通孔形成在该第一感光层中；以及

一第一粘着层，配置在该第一晶圆群的至少其中两个之间；

一第二结构，包括：

一第二晶圆群，包括多个第二半导体晶粒，内嵌在一第二感光层中，其中多个第二通孔形成在该第二感光层中；以及

一第二粘着层，配置在该第二晶圆群的至少其中两个之间；

多个第一金属凸块，配置在该第一结构与该第二结构之间，其中该第一结构以所述第一金属凸块连接该第二结构。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，所述第二通孔的至少其中一个是与相对应的一个第一通孔对准。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中，所述第一通孔形成在所述第一半导体晶粒的一周围区中，且所述第二通孔形成在该第二半导体晶粒的一周围区中。