[发明专利]清洁溶液、清洁半导体基板的方法以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种清洁溶液，其特征在于，其包含：

具有25δ_d13、25δ_p3、及30δ_h4的Hansen溶解度参数的第一溶剂；

具有-11pKa4的酸解离常数的酸、或具有40pKa9.5的酸解离常数的碱；以及

界面活性剂，

其中该界面活性剂为离子界面活性剂、聚环氧乙烷和聚环氧丙烷、非离子界面活性剂、及其组合，

其中该离子界面活性剂为选自由以下组成的群的一或多者

CH₃(CH₂)₁₆COO^-Na⁺、CH₃(CH₂)₁₅N⁺(CH₃)₃Br^-、

其中R为经取代或未经取代脂族、脂环、或芳族基团，并且

该非离子界面活性剂具有A-X或A-X-A-X结构，

其中A为未经取代或经氧或卤素取代、分支或无分支、环状或非环状、饱和C2-C100脂族或芳族基团，并且

X包括选自由以下组成的群的一或多种极性官能基：–OH、＝O、-S-、-P-、-P(O₂)、-C(＝O)SH、-C(＝O)OH、-C(＝O)OR-、-O-；-N-、-C(＝O)NH、-SO₂OH、-SO₂SH、-SOH、-SO₂-、-CO-、-CN-、-SO-、-CON-、-NH-、-SO₃NH-、及SO₂NH。

2.如权利要求1所述的清洁溶液，其特征在于，其中该聚环氧乙烷及该聚环氧丙烷为选自由以下组成的群的一或多者

其中R、R¹、及R²相同或不同，并且为经取代或未经取代脂族、脂环、或芳族基团。

3.如权利要求1所述的清洁溶液，其特征在于，其中该非离子界面活性剂为选自由以下组成的群的一或多者

4.一种清洁一半导体基板的方法，其特征在于，其包含以下步骤：

将第一清洁溶液施加至半导体基板，

其中该第一清洁溶液包含：

具有25δ_d13、25δ_p3、及30δ_h4的Hansen溶解度参数的第一溶剂；

具有-11pKa4的酸解离常数的酸、或具有40pKa9.5的酸解离常数的碱；及

界面活性剂，

其中该界面活性剂为离子界面活性剂、聚环氧乙烷和聚环氧丙烷、非离子界面活性剂、及其组合中的一或多者，

其中该离子界面活性剂为选自由以下组成的群的一或多者

CH₃(CH₂)₁₆COO^-Na⁺、CH₃(CH₂)₁₅N⁺(CH₃)₃Br^-、其中R为经取代或未经取代脂族、脂环、或芳族基团，并且

该非离子界面活性剂具有A-X或A-X-A-X结构，其中A为未经取代或经氧或卤素取代、分支或无分支、环状或非环状、饱和C2-C100脂族或芳族基团，并且

X包括选自由以下组成的群的一或多种极性官能基：–OH、＝O、-S-、-P-、-P(O₂)、-C(＝O)SH、-C(＝O)OH、-C(＝O)OR-、-O-；-N-、-C(＝O)NH、-SO₂OH、-SO₂SH、-SOH、-SO₂-、-CO-、-CN-、-SO-、-CON-、-NH-、-SO₃NH-、及SO₂NH。